[发明专利]场发射显示器无效

专利信息
申请号: 200610150412.9 申请日: 2006-10-25
公开(公告)号: CN101170041A 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: 林正丰;郑健民;邱正茂;张绫珂 申请(专利权)人: 大同股份有限公司;财团法人工业技术研究院
主分类号: H01J31/12 分类号: H01J31/12;H01J29/02;H01J29/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发射 显示器
【权利要求书】:

1.一种场发射显示器,其特征在于包括:

一上基板,是包含一荧光粉层与一阳极;

一下基板;

至少一位于该下基板上方的阴极,是包含一平台部分与至少一突出部分,其中该平台部分与该突出部分是具有不相同高度;

一具有开孔图样的绝缘层,是位于该阴极的平台部分的上方,其中该绝缘层的图样是具有至少一开孔;

至少一闸极,是位于该具有开孔图样的绝缘层的上方;以及

至少一电子发射体,是位于该阴极的突出部分的上方;

其中,该阴极的突出部分是位于该具有开孔图样的绝缘层开孔内。

2.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述该开孔是排列成一M×N的矩阵图形,且M及N皆个别为一大于零的整数。

3.如权利要求2所述的场发射显示器,其特征在于,所述该开孔的形状是选自下列羣组至少其一:四方形、圆形、多边形、椭圆形、及其组合。

4.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述该开孔为一沟槽。

5.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述该阴极的突出部分是填满于该具有开孔图样的绝缘层开孔内。

6.如申请专利范围第4项所述的场发射显示器,其特征在于,所述该绝缘层的表面与该阴极突出部分的表面是具有相同高度或近乎相同高度。

7.如权利要求5所述的场发射显示器,其特征在于,所述该闸极与该电子发射体是位于同一高度。

8.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述该阴极所包含的该平台部分与该突出部分为一相同的导电材料。

9.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述该阴极所包含的该平台部分与该突出部分是分别为不相同的导电材料。

10.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述该平台部分是对应有一个该突出部分。

11.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述该平台部分是对应有多数个该突出部分。

12.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述该闸极为多数个闸极、或整合为一体。

13.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,更包括至少一具有多数个孔洞的电子聚焦板,是位于该上基板与该下基板之间。

14.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述该孔洞是排列成一M×N的矩阵图形,且M及N皆个别为一大于零的整数。

15.如权利要求10所述的场发射显示器,其特征在于,所述该孔洞的形状为选自下列羣组至少其一:四方形、圆形、多边形、椭圆形、及其组合。

16.如权利要求9所述的场发射显示器,其特征在于,所述该孔洞中的内缘直径与开口直径相等。

17.如权利要求9所述的场发射显示器,其特征在于,所述该孔洞中的内缘直径与开口直径不相等。

18.如权利要求9所述的场发射显示器,其特征在于,所述该电子聚焦板为一金属材料或一合金。

19.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述该电子发射体包含一含碳化合物,且该含碳化合物是选自由石墨、钻石、类钻石结构的碳、纳米碳管、碳六十及其组合所组成的羣组。

20.如权利要求18所述的场发射显示器,其特征在于,所述该场发射显示器为一纳米碳管型的场发射显示器。

21.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述该上基板更包括一遮光层,且该遮光层是密接于该荧光粉层旁。

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