[发明专利]低介电常数高Q值微波介质材料无效
| 申请号： | 200610150178.X | 申请日： | 2006-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101134669A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 朱田中 | 申请（专利权）人： | 朱田中 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C01G1/02;C01G15/00;C01G9/02;C01B33/113;H01B3/00;H01B3/12;H01P7/10;H01P1/20 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 魏聿珠 |
| 地址： | 215633江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电常数 微波 介质 材料 | ||
【权利要求书】：
1.低介电常数高Q值微波介质材料，其特征在于：其成分为：ZnO、SiO2、ln2O3，其中，在1份材料中，ZnO摩尔分数a为1.5-3.0，SiO2摩尔分数b为0.5-1.3，ZnO和SiO2总和的质量百分比c为0.05％-0.1％，剩余物质为ln2O3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朱田中，未经朱田中许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610150178.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
