[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

衬底；

沟道，形成于该衬底上；

源欧姆层和漏欧姆层，形成于该沟道的两端上；

热氧化层，形成于所述源欧姆层和漏欧姆层之间的沟道的表面上；

栅绝缘体，覆盖该源欧姆层和漏欧姆层以及该热氧化层；

栅，形成于该栅绝缘体上；

层间电介质层，覆盖该栅；

源电极和漏电极，通过形成于该层间电介质层以及该栅绝缘体内的接触孔而接触该源欧姆层和漏欧姆层；以及

钝化层，覆盖该源电极和漏电极。

2.权利要求1所述的薄膜晶体管，其中接触该源欧姆层和漏欧姆层的该沟道的两个端部比该沟道的中心部分厚。

3.一种薄膜晶体管制造方法，包括：

依次在衬底上形成硅沟道材料层和硅欧姆材料层；

图案化该硅沟道材料层和该硅欧姆材料层以形成硅沟道以及接触该硅沟道的两端的源欧姆层和漏欧姆层；

在所述源欧姆层和漏欧姆层之间的硅沟道的表面上形成热氧化层；

形成覆盖该源欧姆层和漏欧姆层以及热氧化层的栅绝缘体；

在该栅绝缘体上形成与该硅沟道相对应的栅；

在该栅绝缘体上形成层间电介质层以覆盖该栅；

形成贯穿该源欧姆层和漏欧姆层上的该层间电介质层和栅绝缘体的接触孔；

形成通过该层间电介质层上的接触孔分别接触该源欧姆层和漏欧姆层的源电极和漏电极；以及

形成覆盖该层间电介质层上的该源电极和漏电极的钝化层。

4.权利要求3所述的方法，其中该硅沟道材料层和该硅欧姆材料层的图案化包括：

在该硅欧姆材料层上形成光敏抗蚀剂掩模，该光敏抗蚀剂掩模包括对应于该源欧姆层和漏欧姆层的第一部分以及置于该源欧姆层和漏欧姆层之间的第二部分，其中该第二部分比该第一部分薄；

除去未被该光敏抗蚀剂掩模覆盖的该硅欧姆材料层的部分以及该硅沟道材料层的部分；

灰化该光敏抗蚀剂掩模的整个表面，被灰化的厚度至少对应于该光敏抗蚀剂掩模的第二部分，从而除去该光敏抗蚀剂掩模的第二部分；

除去未被该光敏抗蚀剂掩模的第一部分覆盖的该硅欧姆材料层的一部分；以及

除去该光敏抗蚀剂掩模。

5.权利要求4所述的方法，其中通过使用狭缝掩模和半色调掩模之一的光刻方法形成包括该第一部分和第二部分的该光敏抗蚀剂掩模。

6.权利要求5所述的方法，在形成该硅沟道以及接触该硅沟道两端的该源欧姆层和漏欧姆层之前，进一步包括使用固相结晶使该硅沟道材料层多晶化。

7.权利要求6所述的方法，其中使用快速热退火执行该固相结晶。

8.权利要求3所述的方法，在形成该硅沟道以及接触该硅沟道两端的该源欧姆层和漏欧姆层之前，进一步包括使用固相结晶使该硅沟道材料层多晶化。

9.权利要求8所述的方法，其中使用快速热退火执行该固相结晶。