[发明专利]非挥发性存储器的写入方法无效
| 申请号： | 200610148249.2 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211926A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 钟灿;繆威权;陈良成;刘鉴常 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/792;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 写入 方法 | ||
1.一种非挥发性存储器的写入方法，提供非挥发性半导体存储器，包括半导体衬底，依次位于半导体衬底上的介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构和栅极，以及半导体衬底内位于介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构两侧的源极和漏极，其特征在于，包括：
在非挥发性存储器的源极施加第一电压，为负值或者0；
在非挥发性存储器的漏极施加第二电压；
将非挥发性存储器的半导体衬底施加第三电压，为负值或者0；
在非挥发性存储器的栅极施加第四电压。
2.根据权利要求1所述非挥发性存储器的写入方法，其特征在于，所述第一电压大于-0.4V。
3.根据权利要求1所述非挥发性存储器的写入方法，其特征在于，所述第三电压大于-3V。
4.根据权利要求1所述非挥发性存储器的写入方法，其特征在于，所述第二电压为2.5V至15V。
5.根据权利要求1所述非挥发性存储器的写入方法，其特征在于，所述第四电压为9V至10V。
6.一种非挥发性存储器阵列的写入方法，提供非挥发性半导体存储器阵列，每一个非挥发性半导体存储器包括半导体衬底，依次位于半导体衬底上的介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构和栅极，以及半导体衬底内位于介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构两侧的源极和漏极，其特征在于，包括：
选取非挥发性半导体存储器阵列中的非挥发性半导体存储器单元进行写入；
通过一选定的位线在非挥发性存储器单元的源极施加第一电压，为负值或者0；
通过另一选定的位线在非挥发性存储器单元的漏极施加第二电压；
对非挥发性存储器单元的半导体衬底施加第三电压，为负值或者0；
通过一选定的字线在非挥发性存储器单元的栅极施加第四电压。
7.根据权利要求6所述非挥发性存储器阵列的写入方法，其特征在于，所述第一电压大于-0.4V。
8.根据权利要求6所述非挥发性存储器阵列的写入方法，其特征在于，所述第三电压大于-3V。
9.根据权利要求6所述非挥发性存储器阵列的写入方法，其特征在于，所述第二电压为2.5V至15V。
10.根据权利要求6所述非挥发性存储器阵列的写入方法，其特征在于，所述第四电压为9V至10V。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610148249.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
