[发明专利]用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法

权利要求书

1.一种用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于利用〔100〕晶向硅材料各向异性腐蚀特性，纳米梁形成后腐蚀即自动停止；形成梁的横截面为直角三角形；具体工艺步骤是：

(a)台阶的制作和减薄

①台阶的制作使用光刻一刻蚀工艺：

先进行一次光刻，光刻时台阶方向和硅片(100)切边方向垂直，然后用光刻胶作掩膜，等离子刻蚀掉窗口中的上层硅，从而形成台阶；

②利用氧化减薄方法，进行台阶减薄，形成的氧化层的厚度和消耗硅的厚度关系是：

消耗硅的厚度＝氧化层的厚度×0.46；

(b)侧壁保护

用PECVD生长一层氮化硅，接着进行一次光刻，使台阶的两端被光刻胶保护，然后进行两次干法刻蚀，分别刻蚀掉一部分氮化硅和氧化硅；使台阶上的硅暴露出来；

(c)梁的成型

在步骤(b)完成侧壁保护后，用KOH腐蚀台阶，使腐蚀从台阶的上表面向下进行，直至露出埋层氧化硅，同时自动形成(111)面；

(d)梁结构的释放

用HF腐蚀埋层氧化硅实现梁结构的释放，同时使梁的侧壁和两端的氮化硅和氧化硅被腐蚀掉。

2.按权利要求1所述的用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于所述的直角三角形的斜面为(111)面，侧面是(110)面，底面是(001)面。

3.按权利要求1或2所述的用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于斜面与底面间的夹角为54.74°。

4.按权利要求1或2所述的用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于所述的梁的斜面和底面宽度由梁的高度决定。

5.按权利要求4所述的用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于梁的高度是用氧化法进行控制的。

6.按权利要求1所述的用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于所述的(100)硅片为(100)绝缘层上硅片。

7.按权利要求1所述的用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于所述的上层硅厚度为100-300nm，埋层氧化层厚度为300-500nm。

8.按权利要求1所述的用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于同时形成两根纳米梁。

9.按权利要求1所述的用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于直角三角形的三个侧面的宽度均小于100nm。