[发明专利]半导体器件的栅极形成方法有效
| 申请号： | 200610147799.2 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101207027A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 马擎天;魏莹璐;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 栅极 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法至少包括下列步骤：提供一半导体衬底，在所述衬底表面形成多晶硅层；
在所述多晶硅层表面形成保护层；
对所述多晶硅层进行预掺杂。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在所述多晶硅层和衬底之间形成电介质层的步骤。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述保护层为氧化硅、氮化硅、或其组合。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述保护层的厚度为10～100
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述电介质层为高介电常数材料层。
6.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供一半导体衬底；在所述衬底表面形成多晶硅层；
在所述多晶硅层表面形成保护层；
对所述多晶硅层进行预掺杂；
刻蚀所述多晶硅层形成栅极。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述保护层为氧化硅、氮化硅、或其组合。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述保护层的厚度为10～100
9.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在衬底和多晶硅层之间形成电介质层的步骤。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：所述电介质层为高介电常数材料层。
11.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述衬底表面形成的电介质层和多晶硅层；其特征在于：在所述多晶硅层表面形成保护层。
12.如权利要求11所述的器件，其特征在于：所述保护层为氧化硅、氮化硅、或其组合。
13.如权利要求12所述的器件，其特征在于：所述保护层的厚度为10～100
14.如权利要求11所述的器件，其特征在于：所述电介质层为高介电常数材料层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
