[发明专利]形成热稳定金属硅化物的方法无效
| 申请号： | 200610147779.5 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101207040A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 许允埈 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;C01B33/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 稳定 金属硅 方法 | ||
1.一种形成热稳定金属硅化物的方法，其特征在于包括下列步骤：
提供一半导体硅衬底；
在该衬底上形成复数个栅极堆栈结构，该栅极堆栈结构包括一栅极氧化层与一多晶硅层；
于该栅极堆栈结构的间的该衬底中，形成与复数个源极/漏极区；
于该衬底上形成一金属层；
接着在该金属层上形成一覆盖层；
进行一硅离子的植入步骤；
进行第一次的热工艺，于该衬底上形成一金属硅化物，并使该覆盖层的原子填满该多晶硅的晶粒界面；
去除该覆盖层；及
进行第二次的热工艺，以消除因植入离子所造成的损坏，以达到所要的电性活性作用。
2.如权利要求1所述的形成热稳定金属硅化物的方法，其特征在于：该金属层由钴原子所组成。
3.如权利要求1所述的形成热稳定金属硅化物的方法，其特征在于：形成该金属层的方法为物理气相沉积法。
4.如权利要求3所述的形成热稳定金属硅化物的方法，其特征在于：该物理气相沉积法以溅射完成。
5.如权利要求1所述的形成热稳定金属硅化物的方法，其特征在于：该覆盖层包括钛或氮化钛。
6.如权利要求1所述的形成热稳定金属硅化物的方法，其特征在于：形成该覆盖层的方法采用物理气相沉积法。
7.如权利要求6所述的形成热稳定金属硅化物的方法，其特征在于：该物理气相沉积法以溅射方式完成。
8.如权利要求1所述的形成热稳定金属硅化物的方法，其特征在于：该第一次热工艺包括快速热氧化法。
9.如权利要求1所述的形成热稳定金属硅化物的方法，其特征在于：该第一次热工艺利用快速热退火以450～550℃的温度与30秒的时间完成。
10.如权利要求1所述的形成热稳定金属硅化物的方法，其特征在于：去除该覆盖层采用湿式去除的方式完成。
11.如权利要求1所述的形成热稳定金属硅化物的方法，其特征在于：该第二次热工艺包括快速热氧化法。
12.如权利要求1所述的形成热稳定金属硅化物的方法，其特征在于：该第二次热工艺利用快速热退火以800℃的温度与30～45秒的时间完成。
13.如权利要求1所述的形成热稳定金属硅化物的方法，其特征在于：于该衬底上形成金属层的步骤前，包括一去除自然氧化层的工艺。
14.如权利要求13所述的形成热稳定金属硅化物的方法，其特征在于：去除该自然氧化层的工艺为将半导体材料浸泡在氢氟酸中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
