[发明专利]栅极结构、包含栅极结构的器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610147324.3 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101202221A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张文广;郭佳衢 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 包含 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种栅极结构制造方法，包括：
在半导体衬底上形成氧化层；
沉积栅层，所述栅层覆盖所述氧化层；
刻蚀所述栅层，以形成栅极；
去除未被所述栅极覆盖的所述氧化层；
沉积阻挡层，所述阻挡层覆盖所述栅极及所述半导体衬底。
2.一种栅极结构，所述栅极结构包含氧化层、覆盖所述氧化层的栅极以及覆盖所述栅极的阻挡层。
3.一种包含栅极结构的器件的制造方法，包括：
在半导体衬底上形成第一介质层；
沉积栅层，所述栅层覆盖所述第一介质层；
刻蚀所述栅层，以形成栅极；
以所述栅极为掩膜，进行轻掺杂漏区离子注入；
沉积第二介质层，所述第二介质层覆盖所述栅极及半导体衬底；
刻蚀所述第二介质层，以形成环绕所述栅极的侧墙；
以所述栅极及环绕所述栅极的侧墙为掩膜，进行重掺杂源漏区离子注入；
去除所述侧墙；
去除未被所述栅极覆盖的所述第一介质层；
沉积阻挡层，所述阻挡层覆盖所述栅极及所述半导体衬底。
4.根据权利要求3所述的包含栅极结构的器件的制造方法，其特征在于：所述第一介质层为氧化层。
5.根据权利要求3所述的包含栅极结构的器件的制造方法，其特征在于：所述第二介质层包含二氧化硅或二氧化硅与氮化硅/氮氧化硅及二氧化硅、氮化硅/氮氧化硅与二氧化硅构成的层叠结构中的一种。
6.根据权利要求3或5所述的包含栅极结构的器件的制造方法，其特征在于：所述去除所述侧墙及未被所述栅极覆盖的所述第一介质层的方法为湿法刻蚀。
7.根据权利要求6所述的包含栅极结构的器件的制造方法，其特征在于：去除所述第一介质层及所述侧墙中的二氧化硅层选用的刻蚀溶液为氢氟酸。
8.根据权利要求6所述的包含栅极结构的器件的制造方法，其特征在于：去除所述侧墙中的氮化硅/氮氧化硅层选用的刻蚀溶液为热磷酸。
9.一种包含栅极结构的器件，所述器件包含栅极结构，其特征在于：所述栅极结构包含氧化层、覆盖所述氧化层的栅极以及覆盖所述栅极的阻挡层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
