[发明专利]一种混合传播式MOS晶体管电学统计模型的建模方法

权利要求书

1.一种混合传播式MOS晶体管电学统计模型建模方法，其特征在于，该建模方法包括

采用确定模型偏差进行模拟到所得工艺偏差基本符合实测工艺偏差的前向传播方法的工序、以及

采用从可测工艺偏差反向推算模型偏差的后向传播方法的工序。

2.根据权利要求1中所述的建模方法，其特征在于，在统计特征参量的选取时，采用前向传播方法的工序中，选取以下MOS晶体管BSIM4模型参数，即选取的所述3个模型参数为工业界标准MOS BSIM4模型中的氧化层厚度Tox、源极与漏极接触的块电阻Rsh、以及器件的阈值电压Vth0。

3.根据权利要求2中所述的建模方法，其特征在于，在统计特征参量的选取时，采用后向传播方法的工序中，选取以下MOS晶体管BSIM4模型参数，即选取的所述4个模型参数为工业界标准MOS BSIM4模型中的工艺所致的沟道长度的变化X1、工艺所致的沟道宽度的变化Xw、阈值电压的短沟道效应系数k1和阈值电压的窄沟道效应系数k3。

4.根据权利要求3中所述的建模方法，其特征在于，采用前向传播方法的工序，其中包括

确定3个模型参数的标准偏差的步骤(S1)、

根据确定的模型参数标准偏差借助仿真器作蒙特卡罗模拟的步骤(S2)、以及使模拟的工艺标准偏差与实测工艺标准偏差基本相符的步骤(S3)。

5.根据权利要求4中所述的建模方法，其特征在于，采用后向传播方法的工序，其中包括

在生产线中收集大量工艺参数并得到与这些工艺参数相关的工艺标准偏差的步骤(S4)、

选取4个模型参数并且进行所述模型参数与所述工艺标准偏差的数值差分法灵敏度分析的步骤(S5)、

在已知的灵敏度基础上由生产线中收集的所述工艺标准偏差反向推出所述4个模型参数标准偏差的步骤(S6)、以及

将所述模型参数标准偏差写入模型文件并进行模拟而且微调所述4个模型参数标准偏差直到模拟工艺标准偏差与实测工艺标准偏差基本相符的步骤(S7)。