[发明专利]发光芯片封装体及其制造方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种光源模块，且特别有关于一种采用发光芯片封装体的光源模块。

背景技术

近年来，利用含氮化镓的化合物半导体，如氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)等的发光二极管(light emitting diode，LED)元件备受瞩目。三族氮化物为一宽频带能隙的材料，其发光波长可以从紫外光一直涵盖至红光，因此可说是几乎涵盖整个可见光的波段。此外，相较于传统灯泡，发光二极管具有绝对的优势，例如体积小、寿命长、低电压/电流驱动、不易破裂、不含水银(没有污染问题)以及发光效率佳(省电)等特性，因此发光二极管在产业上的应用非常广泛。

由于发光二极管的发光现象不属于热发光或放电发光，而是属于冷性发光，所以发光二极管装置在散热良好的情况下，寿命可长达十万小时以上，且无须暖灯时间(idling time)。此外，发光二极管装置具有反应速度快(约为10-9秒)、体积小、用电省、污染低(不含水银)、高可靠度、适合量产等优点，因此其应用的领域十分广泛。因此，发光二极管被视为21世纪最重要的光源。

然而，由于发光二极管运作时会产生大量的热能，且发光二极管的亮度及寿命都会受到温度的影响，因此当发光二极管的功率增加时，散热的需求也就逐渐增加。现有技术是使用复杂的散热系统，然而复杂的散热系统也会造成体积过大以及成本增加等问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种发光芯片封装体的制造方法，以制造具有较长使用寿命的发光芯片封装体。

此外，本发明的目的是提供一种发光芯片封装体，以提高散热效率。

为达上述或是其他目的，本发明提出一种发光芯片封装体的制造方法，其包括下列步骤。首先，接合一图案化金属板与一基材，而图案化金属板包括至少一散热板与多个接点，其中散热板位于接点之间。接合一薄膜线路层与图案化金属板。形成多条导线，以连接薄膜线路层与接点之间。在基材上形成一第一封胶，以覆盖图案化金属板、导线与部分薄膜线路层。在第一封胶所暴露的薄膜线路层上配置至少一发光芯片，而发光芯片具有多个凸块，且发光芯片经由这些凸块与薄膜线路层电性连接。进行一切割制程，以形成至少一发光芯片封装体。最后再移除该基材。

在本发明的一实施例中，在配置发光芯片之后，发光芯片封装体的制造方法还包括形成一底胶，以包覆该些凸块。

在本发明的一实施例中，在形成底胶之后，发光芯片封装体的制造方法还包括在第一封胶所暴露的薄膜线路层上形成一第二封胶，以包覆发光芯片。

在本发明的一实施例中，在配置发光芯片之后，发光芯片封装体的制造方法还包括在该第一封胶所暴露的薄膜线路层上形成一第二封胶，以包覆发光芯片。

在本发明的一实施例中，接合图案化金属板与基材的步骤包括接合一金属板与基材。对于金属板进行一图案化制程，以形成图案化金属板。

在本发明的一实施例中，接合薄膜线路层与图案化金属板的步骤包括在散热板上形成一绝缘胶层。通过绝缘胶层接合薄膜线路层与图案化金属板。

为达上述或其他目的，本发明提出一种发光芯片封装体，其包括一散热板、多个接点、一薄膜线路层、多条导线、一第一封胶与至少一发光芯片。其中，这些接点配置于散热板外侧。薄膜线路层配置于散热板上，并与散热板电性绝缘。这些导线连接薄膜线路层与接点之间。第一封胶配置于散热板上方，并覆盖导线、接点与部分薄膜线路层，且第一封胶具有一开口，暴露出部分薄膜线路层。发光芯片配置于开口所暴露的薄膜线路层上，而发光芯片具有多个凸块，且发光芯片通过凸块与薄膜线路层电性连接。

在本发明的一实施例中，薄膜线路层包括一图案化金属层与配置于图案化金属层上的一焊罩层。

在本发明的一实施例中，发光芯片封装体还包括一底胶，其配置于发光芯片与薄膜线路层之间，以包覆凸块，而发光芯片具有一主动表面与一背面，其中凸块配置于主动表面上，且底胶并暴露出发光芯片的背面。

在本发明的一实施例中，发光芯片封装体还包括一第二封胶，其配置于开口内，以包覆发光芯片与底胶。

在本发明的一实施例中，发光芯片封装体还包括一第二封胶，其配置于开口内，以包覆发光芯片。

在本发明的一实施例中，发光芯片封装体还包括一绝缘胶层，其配置于薄膜线路层与散热板之间。

在本发明的一实施例中，散热板与接点为共平面，并由相同材质所构成。

在本发明的一实施例中，第一封胶的边缘与接点的边缘切齐。

在本发明的一实施例中，开口的宽度自薄膜线路层往远离薄膜线路层的方向逐渐增加。