[发明专利]对闪存器件进行编程的方法有效
| 申请号： | 200610145272.6 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101071642A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李珉圭 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 进行 编程 方法 | ||
1.一种对闪存器件进行编程的方法，包括：
在所选存储器单元上执行编程和编程验证；以及
如果作为所述编程验证的结果被成功编程的单元是连接到最后字线的单元，则执行再编程。
2.如权利要求1的方法，其中通过将编程电压施加到连接到所述所选单元的字线并将通过电压施加到连接到未选单元的字线来执行所述编程。
3.如权利要求1的方法，其中通过将接地电压施加到连接到所述所选单元的位线并将电源电压施加到连接到未选单元的位线来执行所述编程。
4.如权利要求1的方法，其中通过将验证电压施加到连接到所述所选单元的字线并将电源电压施加到未连接到所述所选单元的字线来执行所述编程验证。
5.如权利要求4的方法，其中通过将低于所述电源电压的电压施加到连接到所述所选单元的位线并将接地电压施加到连接到所述未选单元的位线来执行所述编程验证。
6.如权利要求4的方法，其中所述验证电压低于所述电源电压。
7.如权利要求6的方法，其中所述验证电压是在0到1V的范围中。
8.如权利要求1的方法，其中通过经所述最后字线来施加再编程电压并经除所述最后字线之外的字线来施加电源电压而执行所述再编程。
9.如权利要求8的方法，其中所述再编程电压大于或等于在所述编程验证时的电压。
10.如权利要求8的方法，其中所述再编程电压在1到1.5V的范围中。
11.如权利要求8的方法，其中通过向连接到所述所选单元的位线施加电压并将接地电压施加到未连接到所述所选单元的位线来执行所述再编程。
12.如权利要求11的方法，其中施加到连接到所述所选单元的所述位线的所述电压高于所述电源电压。
13.如权利要求11的方法，其中施加到连接到所述所选单元的所述位线的所述电压是5V。
14.如权利要求1的方法，其中所述再编程执行150μs或更少。
15.一种对闪存器件进行编程的方法，包括：
通过经所选单元的字线来施加编程电压而执行编程；
验证其上已经执行所述编程的所述单元的编程状态；
对作为所述验证的结果没有被成功编程的单元重复执行所述编程同时增加所述编程电压；以及
如果作为所述验证的结果被成功编程的单元连接到最后字线，则经由所述最后字线来施加再编程电压并经位线来施加电压而执行再编程。
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