[发明专利]声表面波传感器芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种声表面波传感器芯片，包括压电基片，其特征在于，所述的压电基片上设有金Au层；

所述芯片包括叉指换能器和成膜区；

所述的叉指换能器部位的Au层上设有成膜掩蔽层；

所述成膜区的Au层上设有敏感膜，所述的敏感膜为对特定气体具有吸附和解吸附性质的聚合物膜。

2.根据权利要求1所述的声表面波传感器芯片，其特征在于，所述压电基片与Au层之间设有铬Cr过渡层。

3.根据权利要求1或2所述的声表面波传感器芯片，其特征在于，所述的压电基片包括各种切向的下列至少一种晶体：

石英晶体、铌酸锂晶体、钽酸锂晶体、硅酸镓镧晶体、四硼酸锂晶体。

4.根据权利要求1或2所述的声表面波传感器芯片，其特征在于，

所述的Au层的厚度为400～550埃；

所述Cr过渡层的厚度为5～15埃；

所述成膜掩蔽层的厚度为100～300埃。

5.一种上述声表面波传感器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、在压电基片上蒸镀Au层；

B、将Au层刻出叉指换能器和成膜区；

C、在Au层上蒸镀成膜掩蔽层；

D、将成膜区的成膜掩蔽层剥掉，然后在成膜区形成敏感膜。

6.根据权利要求5所述的声表面波传感器芯片的制作方法，其特征在于，所述的步骤A中，在压电基片上蒸镀Au层之前，首先在压电基片上蒸镀Cr过渡层，然后在Cr过渡层上蒸镀Au层。

7.根据权利要求5所述的声表面波传感器芯片的制作方法，其特征在于，所述的步骤B包括，

B1、在Au层上涂敷光刻胶，并通过光刻的方法，将叉指换能器和成膜区的图形刻到光刻胶层上；

B2、通过刻蚀的方法，将光刻胶层上叉指换能器和成膜区的图形刻到Au层上，然后将Au层上剩余的光刻胶去掉。

8.根据权利要求5所述的声表面波传感器芯片的制作方法，其特征在于，所述的步骤C包括，

C1、在Au层上涂敷光刻胶，并通过光刻的方法，将成膜区以外的光刻胶刻掉；

C2、在Au层上蒸镀成膜掩蔽层。

9.根据权利要求7或8所述的声表面波传感器芯片的制作方法，其特征在于，所述的光刻胶的粘度为5～10厘波；涂敷厚度为7000～9000埃。

10.根据权利要求5所述的声表面波传感器芯片的制作方法，其特征在于，所述的步骤D包括，

D1、将成膜区的成膜掩蔽层剥掉，在成膜区形成窗口；

D2、将芯片放入敏感膜溶液中，在成膜区形成敏感膜。