[发明专利]背光控制电路及发光元件控制方法

权利要求书

1.一种背光控制电路，包含：

电压供应电路，其接受一输入电压，并受控于一控制信号而产生一输出电压；

至少一条电压比较路径，与至少一条发光元件路径对应耦接；

电压比较放大电路，根据该至少一条电压比较路径上，电压最低者，产生上述控制信号；以及

至少一个低电流侦测电路，用以侦测该至少一条发光元件路径是否处于低电流状态，当发生该低电流状态时，即发出排除信号，用以排除对应之电压比较路径，使其不成为电压比较放大电路的有效输入。

2.如权利要求1所述的背光控制电路，其中该电压比较放大电路为最低电压比较放大电路，是根据该至少一条电压比较路径上，电压最低者，与一第一参考电压相比较，而产生上述控制信号。

3.如权利要求2所述的背光控制电路，其中该第一参考电压为定值。

4.如权利要求1所述的背光控制电路，其中该电压比较放大电路为高低电压比较放大电路，是根据该至少一条电压比较路径上，电压最低者，与一可变参考电压相比较，而产生上述控制信号，该可变参考电压为该至少一条电压比较路径上之电压的函数。

5.如权利要求4所述的背光控制电路，其中该可变参考电压为该至少一条电压比较路径上之电压最高者。

6.如权利要求1所述的背光控制电路，其中该至少一个低电流侦测电路将该至少一条发光元件路径上一个节点处的电压，与第二参考电压相比较。

7.如权利要求6所述的背光控制电路，其中该发光元件路径上包含一个由场效晶体管制成的电流源，且该节点为该场效晶体管之漏极、栅极或源极。

8.如权利要求6所述的背光控制电路，其中该发光元件路径上包含一个由双载子晶体管制成的电流源，且该节点为该场效晶体管之集极、基极或射极。

9.如权利要求1所述的背光控制电路，其中该排除信号是用于切断对应之电压比较路径。

10.如权利要求1所述的背光控制电路，其中该排除信号是用于使电压比较放大电路之对应输入端不发生作用。

11.如权利要求2所述的背光控制电路，其中该最低电压比较放大电路包括一条第一晶体管路径与至少一条第二晶体管路径，其第一晶体管路径中包括一个第一晶体管，该第一晶体管的栅极接收该第一参考电压，其每条第二晶体管路径中各包括一个第二晶体管，该第二晶体管栅极分别耦接对应之该至少一条电压比较路径，且其中该排除信号藉由切断对应之该第二晶体管路径，使所述对应输入端不发生作用。

12.如权利要求1所述的背光控制电路，其中包含至少两条电压比较路径、与至少两个低电流侦测电路，且当所有低电流侦测电路皆发出排除信号时，即忽略该等信号。

13.如权利要求1所述的背光控制电路，其中包含至少两条电压比较路径、与至少两个低电流侦测电路，且更包含有一个逻辑电路，接收所有低电流侦测电路的排除信号。

14.如权利要求13所述的背光控制电路，其中该逻辑电路包括一个与非门。

15.如权利要求13所述的背光控制电路，其中该逻辑电路包括一个第一级与非门，接收所有低电流侦测电路的排除信号，以及与低电流侦测电路对应数目的至少两个第二级与非门，每一个第二级与非门之一输入接收对应低电流侦测电路的排除信号，另一输入接收该第一级与非门的输出。

16.如权利要求1所述的背光控制电路，更包含有一个启动电路，此启动电路的输出与该电压比较放大电路的输入之一耦接。

17.如权利要求16所述的背光控制电路，其中该启动电路从该输出电压萃取分压后，将该分压输入该电压比较放大电路。

18.如权利要求17所述的背光控制电路，其中当该分压与第一参考电压相等时，所述输出电压在最低值Vmin与最高值Vmax之间，其中该最低值Vmin为至少一个发光元件恰脱离低电流状态时之输出电压值；最高值Vmax为所有发光元件均正常工作时之最低输出电压值。