[发明专利]电脑主机板无效

专利信息
申请号: 200610143670.4 申请日: 2006-10-31
公开(公告)号: CN101174167A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 李侑澄 申请(专利权)人: 华硕电脑股份有限公司
主分类号: G06F1/18 分类号: G06F1/18;G06F1/16;H05K7/14
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 任永武
地址: 台湾省台北市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电脑 主机板
【说明书】:

技术领域

发明有关一种电脑主机板,且特别是有关一种可同时支持DDR2及DDR3以上两种存储器模块的电脑主机板。

背景技术

双通道(Double Data Rate,DDR)技术是继同步动态随机存取存储器(Synchronous Dynamic Random Access Memory,SDRAM)之后产生的存储器技术,且已成熟发展出双通道同步动态随机存取存储器(DDR1)及第二代双通道同步动态随机存取存储器(DDR2),其中DDR1的标准工作频率为400MHz、预取数字(Pre-fetch)为2位,DDR2的数据传输能力为DDR1两倍,工作频率支持到400~1066MHz,且预取数字为4位。

一般来说,较新世代的存储器(例如:DDR2)刚在市场上销售时,由于仍有许多使用者还在使用较旧的存储器(例如:DDR1),因此,主机板制造商通常会在此时推出可以同时支持两种存储器的主机板,以符合市场需求。

图1即显示可同时支持DDR1及DDR2存储器模块的电脑主机板示意图。在图1中,电脑主机板100上组设有中央处理单元110(Central Processing Unit,CPU)、北桥芯片(North Bridge Chip)120、南桥芯片(South Bridge Chip)130、PCI插槽140、DDR1存储器模块插槽s1、及DDR2存储器模块插槽s2。

上述中央处理单元110一般利用北桥芯片120及南桥芯片130来与周边组件沟通。例如:经由前端总线(FSB)与中央处理单元110连接的北桥芯片120可以与存储器模块及/或显示卡电性连接,而南桥芯片130则可以与磁盘驱动器、PCI插槽140、及串行端口等连接。

在图1中,北桥芯片120与DDR1存储器模块插槽s1、及DDR2存储器模块插槽s2连接,其中DDR1存储器模块插槽s1与DDR2存储器模块插槽s2旁分别设置有多个终端电阻r。由于DDR2存储器模块内建有信号中止装置(On-DieTermination,ODT),所以DDR2存储器模块插槽s2旁的终端电阻r数量比DDR1存储器模块插槽s1旁的终端电阻r少。

当DDR1(DDR2)存储器模块插入对应的插槽s1(s2)并进行数据传输时,需利用与插槽s1(s2)电性连接的终端电阻r来与存储器模块及电脑主机板100间的传输路径作阻抗匹配,以减少反射讯号干扰,避免诸如数据讯号(DataSignal)、控制讯号(Control Signal)、地址讯号(Address Signal)及指令讯号(Command Signal)等发生传输错误。藉此,可供消费者于技术过渡时期有更多使用选择及安装扩充弹性。

然而,在不断寻求速度及效能更快更强大的新一代DDR技术下(例如,工作频率可达800~1600MHz(未来可能更高),且预取数字达8位的DDR3技术),提供可支持新一代的DDR技术并同时向下兼容DDR2的电脑主机板显然为市场的另一波需求趋势。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的就是在提供一种可同时支持DDR2及DDR3以上两种存储器模块的电脑主机板。本发明的电脑主机板是利用辅助卡的设计,改善对于DDR2存储器模块的兼容性问题,让使用者可依需求选用DDR2或DDR3两种存储器模块。

根据本发明的目的,提出一种电脑主机板包括印刷电路板、第一插槽、第二插槽以及控制单元,且第一插槽、第二插槽以及控制单元组设于印刷电路板。第一插槽用以插置一第一双通道存储器模块。第二插槽电性连接第一插槽,并用以选择性插置一第二双通道存储器模块或一具有数个终端电阻的辅助卡。控制单元是电性连接第一插槽及第二插槽。当第一插槽插置第一双通道存储器模块且第二插槽插置辅助卡时,控制单元是利用辅助卡来与第一双通道存储器模块进行数据传输动作。

根据本发明的目的,提出一种电脑主机板,是可被插置一具有数个终端电阻的辅助卡。电脑主机板包括印刷电路板、第一插槽、第二插槽,且第一插槽及第二插槽组设于印刷电路板。第一插槽用以插置一第二代双通道同步动态随机存取存储器。第二插槽电性连接第一插槽,并用以选择性插置一第三代双通道同步动态随机存取存储器或辅助卡。

本发明的有益效果:

本发明的电脑主机板是利用辅助卡的设计来满足两种双通道存储器模块对于电脑主机板上终端电阻的配置数量的不同需求,达到可同时支持如DDR2及DDR3以上两种双通道存储器模块的功能。借此,于技术过渡时期,能提供给消费者更多使用选择及绝佳的安装扩充弹性。

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