[发明专利]互补式金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，包括：

提供基底，该基底具有光感测区以及晶体管元件区；

在该晶体管元件区的该基底中形成p型阱区；

在该基底上依序形成介电层以及未掺杂多晶硅层；

形成第一掩模层，以覆盖住该光感测区与部分该晶体管元件区的该未掺杂多晶硅层；

进行第一离子注入工艺，将n型掺杂剂注入所暴露出的该未掺杂多晶硅层中，以形成n型多晶硅层；

移除该第一掩模层；

形成第二掩模层，覆盖该n型多晶硅层；

进行第二离子注入工艺，将p型掺杂剂注入所暴露出的该未掺杂多晶硅层中，以形成p型多晶硅层；

移除该第二掩模层；

定义该介电层、该n型多晶硅层与该p型多晶硅层，以于该晶体管元件区的该p型阱区上形成多个n型栅极结构与一p型栅极结构；以及

于该光感测区的该基底中形成光电二极管。

2.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该些n型栅极结构是转移晶体管、重置晶体管、源极随耦器晶体管与选择晶体管其中之三的栅极结构，该p型栅极结构是其中另一的晶体管的栅极结构。

3.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该些n型栅极结构是重置晶体管、源极随耦器晶体管与选择晶体管其中之二的栅极结构，该p型栅极结构是其中另一的晶体管的栅极结构。

4.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该n型掺杂剂包括磷或砷。

5.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该n型掺杂剂的剂量介于1×10¹⁴～5×10¹⁵ion/cm²之间。

6.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该p型掺杂剂包括硼或二氟化硼。

7.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该p型掺杂剂的剂量介于1×10¹³～5×10¹⁵ion/cm²之间。

8.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该光电二极管的形成方法包括进行掺杂工艺。

9.一种互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，包括：

提供基底，该基底具有光感测区以及晶体管元件区；

在该晶体管元件区的该基底中形成p型阱区；

在该基底上依序形成介电层以及未掺杂多晶硅层；

进行第一离子注入工艺，将n型掺杂剂注入该未掺杂多晶硅层中，以形成n型多晶硅层；

形成掩模层，以暴露出该光感测区与部分该晶体管元件区的该n型多晶硅层；

进行第二离子注入工艺，注入p型掺杂剂，使所暴露出的该n型多晶硅层转变成p型多晶硅层；

定义该介电层、该n型多晶硅层与该p型多晶硅层，以于该晶体管元件区的该p型阱区上形成多个n型栅极结构与一p型栅极结构；以及

于该光感测区的该基底中形成光电二极管。

10.如权利要求9所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该些n型栅极结构是转移晶体管、重置晶体管、源极随耦器晶体管与选择晶体管其中之三的栅极结构，该p型栅极结构是其中另一的晶体管的栅极结构。

11.如权利要求9所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该些n型栅极结构是重置晶体管、源极随耦器晶体管与选择晶体管其中之二的栅极结构，该p型栅极结构是其中另一的晶体管的栅极结构。

12.如权利要求9所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该n型掺杂剂包括磷或砷。

13.如权利要求9所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该n型掺杂剂的剂量介于1×10¹⁴～5×10¹⁵ion/cm²之间。

14.如权利要求9所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该p型掺杂剂包括硼或二氟化硼。