[发明专利]薄膜晶体管及其有源层的制作方法与液晶显示器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的有源层的制作方法，包括：

提供一基板；

使用一溶液工艺制备一半导体前驱物溶液；

提供该半导体前驱物溶液到该基板上，从而形成一半导体前驱物薄膜；以及

利用一光源照射该半导体前驱物薄膜，从而移除该半导体前驱物薄膜内残留的溶剂及使其产生半导体特性而形成一半导体有源层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的有源层的制作方法，其中该光源具有范围在5nm～750nm之间的波长以及范围在0.01mj/cm²～1200mj/cm²之间的能量密度。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的有源层的制作方法，其中该溶液工艺包括溶胶-凝胶法、化学浴沉积法、光化学沉积法或将半导体纳米粒子均匀分散于溶剂中。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的有源层的制作方法，其中形成该半导体前驱物薄膜的方法包括旋转涂布法、喷墨法、滴印法、滴铸法、微触法、微印法或浸渍法。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的有源层的制作方法，其中利用该光源照射该半导体前驱物薄膜之前，还包括进行软烤。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的有源层的制作方法，其中形成该半导体有源层之后，还包括移除未被该光源照射到的该半导体前驱物薄膜。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的有源层的制作方法，其中形成该半导体前驱物薄膜之后，还包括提供一掩模，以作为利用该光源照射该半导体前驱物薄膜时的光掩模。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管的有源层的制作方法，其中该半导体前驱物薄膜的材料包括二六族半导体前驱物。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管的有源层的制作方法，其中该二六族半导体前驱物包括氧化锌。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管的有源层的制作方法，其中该基板包括硅晶片、玻璃基板、陶瓷基板、金属基板、纸类基板或塑胶基板。

11.一种薄膜晶体管，包括：

一基板；

一栅极、一源极和一漏极，分别配置于该基板上；

一绝缘层，位于该基板上将该栅极与该源极和该漏极隔开；以及

一半导体有源层，连接该源极和该漏极，且该半导体有源层是以权利要求1所述的制作方法制备的，其中该半导体有源层的材料是经光源照射后产生半导体特性的一半导体前驱物。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中该光源具有范围在5nm～750nm之间的波长以及范围在0.01mj/cm²～1200mj/cm²之间的能量密度

13.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中该半导体前驱物包括二六族半导体前驱物。

14.如权利要求13所述的薄膜晶体管，其中该二六族半导体前驱物包括氧化锌。

15.如权利要求11所述的薄膜晶体管，还包括一半导体前驱物薄膜，与该半导体有源层相连，且该半导体前驱物薄膜具有与该半导体前驱物相同的材料。

16.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中该基板包括硅晶片、玻璃基板、陶瓷基板、金属基板、纸类基板或塑胶基板。

17.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中该源极、该漏极与该栅极的材料是各自独立地选自金属材料、透明导电材料及有机导电材料其中之一。

18.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其中金属材料包括铝、铜、钼、银或金。

19.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其中透明导电材料包括铟锡氧化物或锡锑氧化物。

20.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其中有机导电材料包括聚二氧乙基噻吩。

21.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中该绝缘层包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。

22.如权利要求21所述的薄膜晶体管，其中有机绝缘材料包括聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯或聚酰亚胺。