[发明专利]高耦合比的非挥发性存储器的制造方法

权利要求书

1.一种存储器的制造方法，包括：

提供基底，该基底上已形成有第一介电层与图案化的掩模层；

移除未被图案化的该掩模层覆盖的该第一介电层与该基底，以形成多个隔离沟槽；

各向同性移除部分该掩模层，以曝露出部分该第一介电层；

形成绝缘材料于该些隔离沟槽中，与该掩模层高度相约，形成多个隔离结构；

移除剩余的该掩模层；

移除曝露出的该第一介电层，以曝露出部分该基底；

于曝露出部分的该基底形成第二介电层；

第一导体层形成于该第一及该第二介电层之上；

第二导体层形成于该第一导体层之上，并填满该些隔离结构间的空隙；

移除部分该些隔离结构，使该些隔离结构与该第一介电层的高度相约；

形成第三介电层于该基底表面；以及

形成第三导体层于该第三介电层之上。

2.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中移除部分该掩模层的方法包括湿式蚀刻法。

3.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中形成该绝缘材料于该些隔离沟槽的方法包括高密度等离子体沉积法。

4.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中移除该第一介电层的方法包括湿式蚀刻法。

5.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中形成该第二介电层的方法包括化学气相沉积法或热氧化法。

6.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该第一导体层的材料包括非晶硅。

7.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该第二导体层的材料包括多晶硅。

8.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该第一导体层的方法包括化学气相沉积法。

9.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该第二导体层的方法包括化学气相沉积法。

10.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该些隔离结构的材料包括氧化硅。

11.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中移除部分该些隔离结构的方法包括湿式蚀刻法。

12.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该第三介电层的材料包括氧化硅。

13.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中形成该第三介电层的方法包括化学气相沉积法或热氧化法。

14.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该第三导体层的材料包括掺杂多晶硅。

15.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该第三导体层的方法包括化学气相沉积法。