[发明专利]陶瓷薄板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种陶瓷薄板的制造方法，特别是涉及一种平坦且无翘曲的陶瓷薄板的制造方法。

背景技术

近年来随着可携式信息电子产品与移动通讯产品朝着轻薄短小、多功能、高可靠性与低价化的发展，高元件密度成为电子产品的发展趋势，是以线路中所使用的有源元件及无源元件也多朝向积体化、芯片化及模块化的方向发展，以达到有效缩小线路体积，进而降低成本并提高产品的竞争力。

低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics，LTCC)技术的开发，使电子产品的体积利用率提高得以实现，其主要将电子元件包括无源元件及有源元件与线路整合在一多层结构中来达到集成化。如图1所示，一种现有应用于高频无线通讯元件的低温共烧陶瓷基板1，由多个陶瓷薄板11迭压而形成的一多层结构，各层或层与层之间具有导电层111及电子元件112例如电阻、电容或电感等，导电层111藉由通孔(via)113而可连接其它层导电层111及电子元件112，其中导电层111或电子元件112可利用例如厚膜印刷技术而形成于陶瓷薄板11的表面，再经过多层加压成形后在低于1000℃的温度烧结而成。

然而，由于烧结制造工艺可能因不同层间陶瓷薄板11的收缩量不同，或烧结时因溶剂或黏结剂挥发而产生孔洞，往往导致陶瓷薄板11发生收缩、扭曲、翘曲等形变问题，此现象在制造较薄的陶瓷薄板更甚显著，影响低温共烧陶瓷基板1的成品率与可靠性。为解决上述问题，现有技术利用加压成形时机械力限制陶瓷薄板11的收缩方向并抑制翘曲，但此方法仅适于批次生产，并不适用于隧道窑的量产制造工艺。

因此，如何提供一种制造平坦与无翘曲，且具有良好的致密度、介电特性及质量特性的陶瓷薄板的制造方法，实为重要的课题之一。

发明内容

有鉴于上述课题，本发明的目的为提供一种制造平坦与无翘曲，且具有良好的致密度、介电特性及质量特性的陶瓷薄板的制造方法。

为达到上述目的，本发明提供一种陶瓷薄板的制造方法包括下列步骤：提供至少一第一生胚片及至少二第二生胚片，第二生胚片的烧结温度高于第一生胚片的烧结温度；堆栈第一生胚片与该些第二生胚片，使第一生胚片夹置于该些第二生胚片之间；以及以第一生胚片的烧结温度进行烧结，使第一生胚片烧结成为陶瓷薄板。

为达到上述目的，本发明更提供另一种陶瓷薄板的制造方法包括下列步骤：提供一第一生胚片、一第二生胚片及一第三生胚片，第二生胚片及第三生胚片的烧结温度高于第一生胚片的烧结温度；堆栈该些生胚片，使第一生胚片夹置于第二生胚片及第三生胚片之间；以及以第一生胚片的烧结温度进行烧结，使第一生胚片烧结成为陶瓷薄板。

承上所述，因依据本发明的陶瓷薄板的制造方法，其藉由二较高烧结温度的生胚片(第二生胚片或第三生胚片)夹置一较低烧结温度的生胚片(第一生胚片)，且以较低烧结温度进行烧结，使较低烧结温度的生胚片(第一生胚片)进而烧结成为陶瓷薄板，而较高烧结温度的生胚片(第二生胚片或第三生胚片)则未烧结。第二生胚片及/或第三生胚片于烧结过程仅作为提供加压作用于第一生胚片的相对两表面，可抑制第一生胚片产生翘曲的现象而影响平坦度，达到良好致密度、介电特性及质量特性。

附图说明

图1为一种现有的低温共烧陶瓷基板的示意图。

图2为依据本发明优选实施例的一种陶瓷薄板的制造方法的流程图。

图3与图4为依据本发明优选实施例的第一生胚片与第二生胚片配置的示意图。

图5为依据本发明优选实施例的另一种陶瓷薄板的制造方法的流程图。

附图符号说明

1低温共烧陶瓷基板

11陶瓷薄板

111导电层

112电子元件

113通孔

31第一生胚片

32第二生胚片

S1～S3、S21、S31、S32流程步骤

S1’～S3′、S21′、S31′、S32′流程步骤

具体实施方式

以下将参照相关图式，说明依据本发明优选实施例的一种陶瓷薄板的制造方法，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。