[发明专利]稀土复合离子注入发光材料制备方法无效
| 申请号： | 200610140645.0 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101153217A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张建国;王晓欣;成步文;余金中;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C09K11/77 | 分类号： | C09K11/77 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 稀土 复合 离子 注入 发光 材料 制备 方法 | ||
1.一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中包括如下步骤：
步骤1：取一衬底；
步骤2：在该衬底上注入稀土离子的复合离子；
步骤3：退火，完成发光材料的制备。
2.根据权利要求1所述的一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中该衬底为体材料或体材料上的薄膜或量子异质结构。
3.根据权利要求2所述的一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中该量子异质结构包括量子阱、量子线、量子点中至少一种。
4.根据权利要求1或2所述的一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中该衬底为半导体材料或为绝缘体材料。
5.根据权利要求1所述的一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中稀土离子包括所有16种稀土材料，它们是钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥或它们的组合。
6.根据权利要求1所述的一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中复合离子中除稀土离子之外的杂质离子包括氮、氧、氟、磷、硫、氯或它们的组合。
7.根据权利要求1所述的一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中复合离子注入时，复合离子的表示式为(RExRy)m+/-，其中RE代表稀土，R代表其它元素，包括氮、氧、氟、磷、硫、氯或它们的组合，x，y可分别取为1，1.5，2，2.5，3，m可取为1，2，3，4，5。
8.根据权利要求1所述的一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中离子注入时，离子源采用稀土化合物起弧，或采用稀土单质在相应的包含有杂质离子的其他化合物中起弧。
9.根据权利要求1所述的一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中离子注入时的温度设定为零下200℃到800℃之间任意温度。
10.根据权利要求1所述的一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中所述的退火的温度为200℃到1000℃之间任意温度。
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