[发明专利]半导体装置及其制造方法、与其所使用的图罩

权利要求书

1、一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置在一基底上具有为一隔离结构所隔离的主动区，其中在该主动区内，该半导体装置包含：

一栅极于该基底上，其延伸横越该主动区；

一源极区与一漏极区，置于该栅极二侧的基底上；以及

一栅极介电层，置于该基底与该栅极之间，其包含一高压介电质区、与一低压介电质区，其中，高压介电质区的厚度比低压介电质区的厚度厚；

该高压介电质区是占据着该漏极区、该隔离结构、与该栅极所交界的一第一交界区及该源极区、该隔离结构与该栅极所交界的一第二交界区。

2、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极包含与该漏极区相邻的一漏极侧、及与该源极区相邻的一源极侧，而该高压介电质区包含沿着该漏极侧延伸而占据着该第一交界区的一第一部分、与占据着该第二交界区的一第二部分。

3、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极包含与该漏极区相邻的一漏极侧、及与该源极区相邻的一源极侧，而该高压介电质区包含沿着该漏极侧延伸而占据着该第一交界区的一第一部分、与延伸自该第一部分而占据着该第二交界区的一第二部分。

4、根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，该第二部分包含与该栅极的延伸方向平行的一线性尺寸，其不小于0.25μm。

5、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该高压介电质区的厚度为

6、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该低压介电质区的厚度为

7、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该基底为硅，而该隔离结构为场氧化物。

8、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法包含：

提供一基底，其具有为一隔离结构所隔离的一主动区，其包含为一栅极预定区所分隔的一漏极预定区与一源极预定区；

形成一高压栅介电层于该基底上；

使用一图罩图形化该高压栅介电层，形成一高压介电质图形于该漏极预定区与部分的该栅极预定区上，其是占据着该隔离结构、该漏极预定区、与该栅极预定区之间的交界区及该隔离结构、该源极预定区、与该栅极预定区之间的交界区，而暴露部分该基底；

形成厚度薄于该高压栅介电层的一低压栅介电层于暴露的该基底上，而完成一栅极介电层于该基底上，其中该栅极介电层中的该高压栅介电层是作为一高压介电质区，而该栅极介电层中的该低压栅介电层是作为一低压介电质区；

形成一栅极于该隔离结构上、与该栅极预定区内的该栅介电层上；

图形化该栅极介电层，仅留下其位于该栅极下的部分，而暴露该漏极预定区与该源极预定区，其中留下来的该高压介电质区是占据着该隔离结构、该漏极预定区、与该栅极预定区之间的交界区及该隔离结构、该源极预定区、与该栅极预定区之间的交界区；

在该源极预定区与该漏极预定区内分别形成一源极区与一漏极区，其中该高压介电质区是占据着该漏极区、该隔离结构、与该栅极所交界的一第一交界区与该源极区、该隔离结构、与该栅极所交界的一第二交界区。

9、根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该栅极包含与该漏极区相邻的一漏极侧、及与该源极区相邻的一源极侧，而该高压介电质区包含沿着该漏极侧延伸而占据着该第一交界区的一第一部分、与占据着该第二交界区的一第二部分。

10、根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该栅极包含与该漏极区相邻的一漏极侧、及与该源极区相邻的一源极侧，而该高压介电质区包含沿着该漏极侧延伸而占据着该第一交界区的一第一部分、与延伸自该第一部分而占据着该第二交界区的一第二部分。

11、根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该高压介电质区的厚度为

12、根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该低压介电质区的厚度为