[发明专利]流体喷射装置的制造方法无效
| 申请号： | 200610138610.3 | 申请日： | 2006-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101177067A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陈苇霖;胡宏盛 | 申请（专利权）人： | 明基电通股份有限公司 |
| 主分类号： | B41J2/16 | 分类号： | B41J2/16;B41J2/14;B05B17/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 流体 喷射 装置 制造 方法 | ||
1.一种流体喷射装置的制造方法，包括：
提供基底，其具有第一面及一第二面，且所述第二面与所述第一面相对；
形成图案化的多孔性结构区于所述基底内；
形成第一结构层于所述基底的所述第一面上并覆盖所述图案化的多孔性结构区；
由所述基底的所述第二面蚀刻所述基底并暴露所述图案化的多孔性结构区，以形成流体通道；
去除所述图案化的多孔性结构区以形成连接所述流体通道的流体腔；以及
图案化所述第一结构层以在喷孔预定区上形成开口。
2.根据权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，还包括在所述第一结构层上形成流体致动组件、驱动电路以连接所述流体致动组件、以及保护层以覆盖所述流体致动组件与所述驱动电路。
3.根据权利要求2所述的流体喷射装置的制造方法，还包括在所述保护层上形成第二结构层。
4.根据权利要求3所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述第二结构层包括金属或高分子。
5.根据权利要求3所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述第二结构层包括金、白金、镍、镍钴合金。
6.根据权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中形成所述图案化的多孔性结构区包括实施电化学蚀刻。
7.根据权利要求6所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述电化学蚀刻使用氢氟酸溶液为电解液。
8.根据权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述基底是P型硅。
9.根据权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述图案化的多孔性结构区包括多孔硅。
10.根据权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中形成所述流体通道包括实施干蚀刻步骤。
11.根据权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中形成所述流体通道包括实施湿蚀刻步骤。
12.根据权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中去除所述图案化的多孔性结构区包括实施湿蚀刻步骤。
13.根据权利要求12所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述湿蚀刻步骤包括以氢氧化钾、四甲基氢氧化氨或乙二胺邻苯二酚溶液进行蚀刻。
14.根据权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述图案化的多孔性结构区的厚度约介于10至20μm。
15.根据权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述第一结构层包括氮化硅。
16.根据权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中在形成所述流体腔之后，图案化所述第一结构层以在所述喷孔预定区上形成所述开口。
17.根据权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中在形成所述流体腔之前，图案化所述第一结构层以在所述喷孔预定区上形成所述开口。
18.根据权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述图案化的多孔性结构区具有10至20nm的孔洞。
19.根据权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，在所述喷孔预定区上形成所述开口包括实施干蚀刻步骤。
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