[发明专利]镶嵌式影像感测芯片的封装结构无效
申请号: | 200610138240.3 | 申请日: | 2006-11-08 |
公开(公告)号: | CN101179086A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 谢有德 | 申请(专利权)人: | 欣相光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H01L23/495 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镶嵌 影像 芯片 封装 结构 | ||
技术领域
本发明涉及镶嵌式影像感测芯片,特别涉及一种镶嵌式影像感测芯片的封装结构,其中所述承载座内缘是呈一阶梯状,可以覆晶技术方式将影像感测芯片嵌入一凹阶内,且与所述承载座周围上的多个金属导脚相接合,令其能做电导通,并予以封装包覆,有效提高产品制程效率与薄型化。
背景技术
随着科技时代的日新月异,各式各样的随身信息电子产品以及设备因应而生,而各式的产品零组件均朝着轻薄短小的目标迈进。如何使产品更具人性化,多机一体的概念,体积缩小携带方便符合人因工程,更合乎消费者便利追求时尚的需求,是目前市场主要的课题之一。而将手机结合数字相机功能甚至是MP3或笔记型计算机,或是将PDA结合数字相机功能,即是其中一项重要的改良突破,如何使其组装更方便迅速,制造过程更简单、体积更轻薄,将是业界发展的主要目标。
请参阅图1所示,其为现有影像感测芯片封装结构示意图。现有的影像感测芯片封装结构1是包括有:一基板10、一影像感测芯片11、一环堤12、多个金属线13、一玻璃盖板14、以及若干锡球15。其中,将所述影像感测芯片11设置于基板10上,以所述多个金属线13将所述影像感测芯片11与所述基板10做电导通。利用所述环堤12环绕所述影像感测芯片11且设于所述基板10上,用以保护所述影像感测芯片11以及与所述基板10相导通的多个金属线13,进而于所述环堤12上设置所述玻璃盖板14,使所述影像感测芯片11可透过所述环堤12上所设的所述玻璃盖板14撷取外界影像,并由所述基板10下方所设的若干锡球15与其它电子产品相连结。
然而,现有的影像感测芯片封装结构1,其影像感测芯片11需以利用打金属线13的方式,使所述影像感测芯片11与所述基板10相互电导通,且不易将影像感测芯片11精密定位于固定的位置上,不仅组装繁复更无法进一步达到薄型化的需求。
发明内容
本发明的第一目的,在于提供一镶嵌式影像感测芯片的封装结构,其是使用一中空且呈一阶梯状的承载座,可将一影像感测芯片置于其中空处所预设的一凹阶上,并与所述承载座上的一金属导脚所延伸的一飞脚端相电导通,达到降低所述封装结构的高度的目的。
本发明的另一目的,在于提供一镶嵌式影像感测芯片的封装结构,其是通过所述承载座内所预设的一凹阶可将所述影像感测芯片以覆晶技术透过镶卡方式定位于所述预定凹阶内,无须使用高精度定位设备,可降低生产成本。
本发明的又一目的,在于提供一镶嵌式影像感测芯片的封装结构,是利用一绝缘胶或一防静电胶带将所述影像感测芯片封装于所述承载座的凹阶内,可使所述影像感测芯片的封装结构不受其它电磁或静电干扰。
为达上述的目的,本发明是提供一种镶嵌式影像感测芯片的封装结构,包括有:一承载座,是一中空框架且周围环绕有多个金属导脚,所述承载座是具有一第一表面以及一第二表面,且于所述中空框架内缘是呈一阶梯状环绕且包括一第一凹阶,所述金属导脚至少有一部份是结合在所述承载座的第一表面上,且金属导脚是往所述承载座中空处悬空延伸出一飞脚端;一影像感测芯片,其是具有一作动面与一非作动面,所述作动面是置放于所述承载座的所述第一凹阶处,影像感测芯片的作动面与所述飞脚端电导通;一透明盖板,覆盖于所述承载座的所述第一表面上,且通过一接着剂固定于所述承载座上。
所述金属导脚由所述承载座的第二表面并沿着所述中空框架厚度弯折并嵌附于所述第一表面上,进而往所述承载座中央中空处悬空延伸出一飞脚端。于所述中空框架内缘是呈一阶梯状环绕所述承载座内缘,所述阶梯至少包括有一第一凹阶以及一第二凹阶。
所述影像感测芯片则包括有一作动面以及一非作动面。所述作动面可以覆晶技术镶嵌于所述承载座的第一凹阶处,使所述影像感测芯片的作动面上一影像感测区裸露于所述承载座的第一表面中央处。并利用以一导电材料将所述影像感测区周围的多个铝垫与所述多个金属导脚的飞脚端做电导通。进而利用所述绝缘材料将影像感测芯片的非作动面于所述第二凹阶处内包覆封装,使所述影像感测芯片的封装结构不受其它电磁或静电干扰。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的