[发明专利]隔离结构的制造方法

权利要求书

1.一种隔离结构的制造方法，包括：

提供基底，所述基底上设置有介电层与导体层，所述导体层位于所述介电层上，且所述导体层、介电层与基底中设置有多个隔离层；

移除部分所述隔离层，使所述隔离层的顶面低于所述导体层顶面但高于所述导体层底面；

于所述导体层侧壁形成间隙壁；

以所述间隙壁为掩模，移除部分所述隔离层，形成隔离结构，所述隔离结构顶部具有凹陷，且所述隔离结构覆盖住所述导体层与所述介电层交界的转角处；以及

移除所述间隙壁。

2.如权利要求1的隔离结构的制造方法，其中所述凹陷为圆弧状凹陷。

3.如权利要求1的隔离结构的制造方法，其中以所述间隙壁为掩模，移除部分所述隔离层的方法包括湿式蚀刻法。

4.如权利要求1的隔离结构的制造方法，其中移除所述间隙壁的方法包括干式蚀刻法或湿式蚀刻法。

5.如权利要求1的隔离结构的制造方法，其中所述间隙壁的形成方法包括：

于所述基底上形成间隙壁材料层；以及

移除部分所述间隙壁材料层，留下位于所述导体层侧壁的间隙壁材料层。

6.如权利要求5的隔离结构的制造方法，其中移除部分所述间隙壁材料层的方法包括干式蚀刻法。

7.如权利要求1的隔离结构的制造方法，其中所述间隙壁的材质包括氮化硅。

8.如权利要求1的隔离结构的制造方法，其中所述隔离层的材质包括氧化硅。

9.如权利要求1的隔离结构的制造方法，其中所述导体层的材质包括掺杂多晶硅。

10.如权利要求1的隔离结构的制造方法，适用于非易失性存储器的工艺，其中所述导体层为所述非易失性存储器的浮置栅极。

11.一种隔离结构的制造方法，包括：

提供基底，所述基底上设置有介电层与导体层，所述导体层位于所述介电层上，且所述导体层、介电层与基底中设置有隔离层；

移除部分所述隔离层，使所述隔离层的顶面低于所述导体层顶面但高于所述导体层底面；

于所述基底上形成间隙壁材料层；

移除部分所述间隙壁材料层，形成位于所述导体层侧壁的间隙壁；以及

至少移除部分所述隔离层，形成隔离结构，所述隔离结构顶部具有凹陷，且所述隔离结构覆盖住所述导体层与所述介电层交界的转角处。

12.如权利要求11的隔离结构的制造方法，其中所述凹陷为圆弧状凹陷。

13.如权利要求11的隔离结构的制造方法，其中所述间隙壁与所述隔离层具有不同的蚀刻选择比。

14.如权利要求13的隔离结构的制造方法，还包括以所述间隙壁为掩模，移除部分所述隔离层。

15.如权利要求14的隔离结构的制造方法，其中以所述间隙壁为掩模，移除部分所述隔离层的方法包括湿式蚀刻法。

16.如权利要求14的隔离结构的制造方法，还包括于形成所述隔离结构之后，移除所述间隙壁。

17.如权利要求13的隔离结构的制造方法，其中所述间隙壁的材质包括氮化硅。

18.如权利要求11的隔离结构的制造方法，其中所述间隙壁与所述隔离层具有约略相同的蚀刻选择比。

19.如权利要求18的隔离结构的制造方法，还包括于形成所述隔离结构的步骤中，同时移除所述间隙壁与部分所述隔离层。

20.如权利要求19的隔离结构的制造方法，其中同时移除所述间隙壁与部分所述隔离层的方法包括湿式蚀刻法。

21.如权利要求18的隔离结构的制造方法，其中形成所述间隙壁材料层的方法包括以四乙基硅酸酯为气体源，进行化学气相沉积法。

22.如权利要求11的隔离结构的制造方法，其中移除部分所述间隙壁材料层，形成所述间隙壁的方法包括干式蚀刻法。

23.如权利要求11的隔离结构的制造方法，其中所述隔离层的材质包括氧化硅。