[发明专利]一种电致热驱动微执行器及制备工艺

权利要求书

1.一种电致热驱动微执行器，其特征在于：为固定在硅基底上的多个悬臂梁结构，每个悬臂梁为paryleneC夹持电致热材料的三层结构；所述两层paryleneC沉淀厚度不同，一层为0.35μm±0.01μm，另一层为paryleneC0.25μm±0.01μm。

2.按照权利要求1所述电致热驱动微执行器，其特征在于：所述电致热材料采用金属铂和/或钛；沉淀厚度为0.2μm±0.005μm。

3.按照权利要求1所述电致热驱动微执行器，其特征在于：所述悬臂梁个数为至少2个。

4.一种电致热驱动微执行器的制备工艺，其特征在于：采用MEMS平面印刷技术，具体加工工艺如下：

1)首先在硅芯片上使用6000±100光照条件生长氧化硅层作为基底；

2)涂光致抗蚀剂于硅基底所需部位上，这一层作为执行器的牺牲层；

3)第一层paryleneC沉淀在光致抗蚀剂制成的牺牲层上方，沉淀厚度为0.35μm±0.01μm，并用影印石版术定型，用氧化等离子体刻蚀；

4)将金属铂和钛喷溅到第一层ParyleneC上方，作为夹持器的第二层，即电致热层；

5)再将作为第三层的paryleneC以步骤3所述方式定型于第二层的上方，沉淀厚度为0.25μm±0.01μm；

6)最后释放刻蚀光致抗蚀剂即可。

5.按照权利要求2所述电致热驱动微执行器的制备工艺，其特征在于：所述涂光致抗蚀剂涂敷厚度可以为1μm～1.8μm。

6.按照权利要求2所述电致热驱动微执行器的制备工艺，其特征在于：所述第一层paryleneC沉淀厚度为0.35μm±0.01μm，第二层paryleneC0.25μm±0.01μm。

7.按照权利要求2所述电致热驱动微执行器的制备工艺，其特征在于：所述钛和/或铂沉淀厚度为0.2μm±0.005μm。