[发明专利]高频等离子体源装置

权利要求书

1.一种用于控制和/或调节一个高频等离子体源装置(1、21)的输出功率的方法，包括以下方法步骤：

a.各通过一个高频发生器(6、7、24-26)产生至少一个第一和一个第二高频功率信号；

b.根据这些高频功率信号的相位和/或电平，将至少两个高频功率信号耦合为一个已耦合高频功率；

c.使已耦合高频功率分成一个输送到等离子体负载(2)的等离子体功率和一个输送到补偿负载(10、32)的补偿功率；

其特征在于，

d.这样控制和/或调节高频功率信号的电平和相位，或者这样控制和/或调节高频功率信号的相位，即，对于在预给定的下功率极限与预给定的额定功率之间范围内的等离子体功率，已耦合高频功率的一个非主要部分是补偿功率，而对于在给定的下功率极限以下的等离子体功率，已耦合高频功率的一个主要部分是补偿功率。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对于在预给定的下功率极限与预给定的额定功率之间范围中的等离子体功率调节出一个比对于在预给定的下功率极限以下的等离子体功率小的补偿功率。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，高频功率信号的电平和/或相位通过控制和/或调节高频发生器(6、7、24-26)的直流电流源和/或直流电压源来调节出。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，高频功率信号通过控制高频发生器(6、7、24-26)中的开关元件(43、44、49、50)来产生。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，通过以相移方法控制这些开关元件(43、44、49、50)来调节出高频功率信号的电平和/或相位。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，通过控制和/或调节高频发生器(6、7、24-26)的直流电流源和/或直流电压源来实现已耦合高频功率的粗调节，通过对高频发生器(6、7、24-26)的相移控制来实现已耦合高频功率的精调节。

7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述高频功率信号在一个90°混合电路中被耦合。

8.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，产生多于两个高频功率信号，其中，每两个高频功率信号耦合为一个已耦合高频功率信号。

9.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，对于多个补偿负载(29、32)产生多个补偿功率。

10.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，高频功率信号的耦合在一些耦合单元(8、27、28)中实现，其中，多个耦合单元(27、28)串联。

11.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，测量一个描述高频功率的参数。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述描述高频功率的参数用于调节所测量的高频功率或另一高频功率。

13.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，进行一个阻抗匹配操作。

14.如权利要求3所述的方法，其特征在于，当高频等离子体源装置(1、21)在额定功率范围内运行时，调节高频功率信号的电平和/或相位。

15.如上述权利要求7所述的方法，其特征在于，所述高频功率信号在一个3dB耦合器中被耦合。

16.一种高频等离子体源装置(1、21)，用于对一个等离子体负载(2)供给等离子体功率，该高频等离子体源装置包括至少两个用于产生一个第一和一个第二高频功率信号的高频发生器(6、7、24-26)和至少一个耦合单元(8、27、28)，在所述耦合单元中由两个高频功率信号产生一个已耦合高频功率，其中，在所述至少一个耦合单元(8、28)上可连接或连接了所述等离子体负载(2)和一个补偿负载(10、32)，该高频等离子体源装置还具有一个控制和/或调节高频发生器(6、7、24-26)的控制和/或调节装置(12)，其特征在于，所述控制和/或调节装置(12)被构造用于执行如上述权利要求中任一项所述的方法。

17.如权利要求16所述的高频等离子体源装置，其特征在于，所述方法在硬件、固件和/或软件中执行。