[发明专利]锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200610130271.4 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1974476A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 马卫兵;孙凤云;孙清池 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/36 | 分类号： | C04B35/36;C04B35/50;C04B35/622 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锰酸镧系负 温度 系数 半导体 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【说明书】：
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