[发明专利]在相变存储单元中形成相变层有效
| 申请号： | 200610129021.9 | 申请日： | 2006-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1925186A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | M·马吉斯特雷蒂;P·佩特鲁扎 | 申请（专利权）人： | 奥沃尼克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 存储 单元 形成 | ||
【权利要求书】：
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