[发明专利]等离子体镀膜装置及其镀膜方法

权利要求书

1.一种等离子体镀膜装置，包括：

一反应室；

一载座，设置在该反应室中；

一等离子体源产生装置，设置在该反应室中，且位于该载座上方，该等离子体源产生装置包括一等离子体束喷射器，用以提供一沉积薄膜用的等离子体束，该等离子体束喷射器所产生的该等离子体束与该载座的法线夹角0°＜θ₁＜90°；以及

一抽气装置，设置在该反应室中，且位于该载座上方，该抽气装置包括一抽气管，用以提供一抽气路径以抽取该等离子体束形成薄膜时产生的微粒以及副产物，该抽气管与该载座的法线夹角0°＜θ₂＜90°。

2.根据权利要求1所述的等离子体镀膜装置，其特征在于，该抽气装置是以该等离子体源产生装置为旋转轴旋转。

3.根据权利要求1所述的等离子体镀膜装置，其特征在于，该等离子体源产生装置以及该抽气装置相连结。

4.根据权利要求3所述的等离子体镀膜装置，其特征在于，相连结的该等离子体源产生装置以及该抽气装置受一动力源带动而一体旋转。

5.根据权利要求1所述的等离子体镀膜装置，其特征在于，θ₁等于θ₂。

6.根据权利要求1所述的等离子体镀膜装置，其特征在于，θ₁与θ₂的差值小于20°。

7.根据权利要求1所述的等离子体镀膜装置，其特征在于，该θ₁或θ₂可以任意调整。

8.根据权利要求1所述的等离子体镀膜装置，其特征在于，该抽气管的末端为广口状。

9.根据权利要求1所述的等离子体镀膜装置，其特征在于，包括一感应装置，其设于该载座上方以及该抽气装置与该等离子体源产生装置之间。

10.根据权利要求9所述的等离子体镀膜装置，其特征在于，该感应装置为镀膜生成物分析装置。

11.根据权利要求9所述的等离子体镀膜装置，其特征在于，该感应装置为粒子轨迹检测器。

12.根据权利要求1所述的等离子体镀膜装置，其特征在于，该抽气装置与该等离子体源产生装置相对于该载座平行移动。

13.根据权利要求1所述的等离子体镀膜装置，其特征在于，包括一基板，设置在该载座上，用以提供沉积薄膜。

14.根据权利要求1所述的等离子体镀膜装置，其特征在于，该反应室的气压与外界气压相同。

15.一种等离子体镀膜方法，包括下列步骤：

提供一基板；

利用具有一等离子体束喷射器的一等离子体源产生装置产生一沉积薄膜用的等离子体束，以形成一薄膜于该基板上，该等离子体束喷射器所产生的该等离子体束与该基板的法线夹角0°＜θ1＜90°；以及

利用具有一抽气管的一抽气装置抽取该等离子体束在该基板上形成该薄膜时产生的微粒以及副产物，该抽气管与该基板的法线夹角0°＜θ2＜90°。

16.根据权利要求15所述的等离子体镀膜方法，其特征在于，θ1等于θ2。

17.根据权利要求15所述的等离子体镀膜方法，其特征在于，θ1与θ2的差值小于20°。

18.根据权利要求15所述的等离子体镀膜方法，其特征在于，包括一感应装置，其设于该基板上方以及该抽气装置与该等离子体源产生装置之间。

19.根据权利要求18所述的等离子体镀膜方法，其特征在于，该感应装置为镀膜生成物分析装置。

20.根据权利要求18所述的等离子体镀膜方法，其特征在于，该感应装置为粒子轨迹检测器。

21.根据权利要求15所述的等离子体镀膜方法，其特征在于，形成该薄膜的气压与外界气压相同。

22.根据权利要求15所述的等离子体镀膜方法，其特征在于，该薄膜的形成方式为等离子体增强型化学气相沉积法。

23.根据权利要求15所述的等离子体镀膜方法，其特征在于，该薄膜为二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜。

24.根据权利要求15所述的等离子体镀膜方法，其特征在于，该薄膜为无机薄膜。