[发明专利]一种电子基板用纳米薄层保护剂无效
申请号: | 200610124246.5 | 申请日: | 2006-12-18 |
公开(公告)号: | CN101205364A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 严俊翰;秦如新 | 申请(专利权)人: | 严俊翰;秦如新 |
主分类号: | C08L83/04 | 分类号: | C08L83/04;C08K5/54;H05K1/02;C08K3/36 |
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地址: | 523062广东省东莞市万*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子 基板用 纳米 薄层 保护 | ||
所属技术领域
本发明涉及一种纳米薄层保护剂,尤其涉及一种电子基板用纳米薄层保护剂。
背景技术
随着电子技术的不断发展,各种电子产品不断涌现,从而电子基板(PCB)的需求量也越来越大。然而,水、油及其它液态物质的沾染极易导致电子基板短路而失灵;灰尘的堆积也会造成散热不良,使PCB故障;各类酸碱性物质及气体极易发生焊接点、零件的腐蚀使PCB损坏;在恶劣的环境(高温、低温)下运作常使焊接点及零件氧化使PCB功能衰减;以及由于静电感应容易造成PCB上的电子零件失效。
由上所述,现有电子基板不具备良好的防水、抗污、耐蚀、适应恶劣环境、高密封及抗静电性能,因而极易被破坏。
发明内容
本发明的目的是针对上述现有技术存在的缺陷提供一种电子基板用纳米薄层保护剂,在电子基板用纳米薄层保护剂在电子基板上加工成膜后,使电子基板具有防水疏水疏油性、抗污、高密性、防蚀性、适应恶劣环境及抗静电性。
为实现上述目,本发明提供一种电子基板用纳米薄层保护剂,其组分包括:疏水纳米二氧化硅溶胶、偶联剂、有机硅树脂和稀释剂。
所述各组分的重量百分含量为:疏水纳米二氧化硅溶胶20%~50%,偶联剂1%~5%,有机硅树脂20%~59%,稀释剂20%~59%。
所述疏水纳米二氧化硅溶胶中纳米二氧化硅的重量百分含量为30%。
所述偶联剂为硅烷偶联剂。
所述稀释剂选自乙醇和异丙醇。
由上所述,由于纳米二氧化硅性能稳定、微细且具高度的流动性、流平性及渗透性,所以本发明电子基板用纳米薄层保护剂在电子基板上加工成膜后,纳米的表面效应及其界面特性使被加工物表面具备纳米莲叶效应,使水、油及其它液体产生高张力悬浮在表面纳米凸点上并迅速排离表面,降低液态物质驻留在表面的机会及时间,达到极佳的防水疏水疏油性能。同时可将表面存留的灰尘带离,展现抗污自洁性。由于纳米二氧化硅是一种高介电、硬度高、耐磨性好、耐候性佳的材料,所以使电子基板具有良好的抗静电性能、耐磨性和恶劣环境适应能力。
具体实施方式
本发明电子基板用纳米薄层保护剂的主要组分为:疏水纳米二氧化硅溶胶、偶联剂、有机硅树脂和稀释剂。其中,偶联剂为硅烷偶联剂(KH560);稀释剂为乙醇或异丙醇(IPA)。本发明电子基板用纳米薄层保护剂是将疏水纳米二氧化硅溶胶、偶联剂、有机硅树脂和稀释剂混合搅拌均匀后得到。其中,偶联剂使疏水纳米二氧化硅溶胶的纳米二氧化硅分子和有机硅树脂之间产生一定的结合力。
在使用本发明电子基板用纳米薄层保护剂时,将该纳米薄层保护剂涂在电子基板上并形成厚度为40~60μm的湿膜,然后将电子基板在60~180°温度条件下烘烤10~15分钟使湿膜成为厚度为5~10μm的干膜。
由于纳米二氧化硅性能稳定、微细且具高度的流动性、流平性及渗透性,所以本发明电子基板用纳米薄层保护剂在电子基板上加工成膜后,纳米的表面效应及其界面特性使被加工物表面具备纳米莲叶效应,使水、油及其它液体产生高张力悬浮在表面纳米凸点上并迅速排离表面,降低液态物质驻留在表面的机会及时间,达到极佳的防水疏水疏油性能。同时可将表面存留的灰尘带离,展现抗污自洁性。由于纳米二氧化硅是一种高介电材料,所以使电子基板具有良好的抗静电性能。由于纳米二氧化硅硬度高,所以成膜后,因纳米二氧化硅的高密着特性使电子基板耐磨性好。由于纳米二氧化硅耐候性佳,所以电子基板能在恶劣环境下工作。
下面将说明本发明电子基板用纳米薄层保护剂的具体实施例。
实施例一
本实施例电子基板用纳米薄层保护剂是将含颗粒度为100纳米二氧化硅为30%的疏水二氧化硅溶胶20千克、硅烷偶联剂1千克、有机硅树脂20千克和乙醇59千克在常温下放入容器中混合搅拌均匀后得到。
实施例二
本实施例电子基板用纳米薄层保护剂是将含颗粒度为50纳米二氧化硅为30%的疏水二氧化硅溶胶50千克、硅烷偶联剂5千克、有机硅树脂20千克和异丙醇59千克在常温下放入容器中混合搅拌均匀后得到。
实施例三
本实施例电子基板用纳米薄层保护剂是将含颗粒度为10纳米二氧化硅为30%的疏水二氧化硅溶胶20千克、硅烷偶联剂1克、有机硅树脂59千克和乙醇20千克在常温下放入容器中混合搅拌均匀后得到。
当然,以上所述实施例仅为本发明的较佳实施例,并不因此而限制本发明的保护范围,故凡依本发明之原理所作的等效变化,均应涵盖于本发明的保护范围内。
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