[发明专利]单片流体喷射装置的制造方法

权利要求书

1.一种单片流体喷射装置的制造方法，包括：

提供基底，其中该基底包括第一表面与第二表面；

形成加热元件与驱动电路在该第一表面上；

沉积第一负型感光高分子层覆盖在该第一表面、该加热元件和该驱动电路上；

形成图案的光掩模转移层覆盖在该第一负型感光高分子层上；

沉积第二负型感光高分子层覆盖在该图案的光掩模转移层与外露的该第一负型感光高分子层上；

对该第二与该第一负型感光高分子层进行曝光步骤，以同时定义喷孔结构与流体腔结构；

形成流体通道，其中该流体通道穿越该基底并分别连接该第二表面与该第一负型感光高分子层；并且

移除该第二与该第一负型感光高分子层未曝光的部分与该光掩模转移层，而形成单片流体喷射装置。

2.如权利要求1所述的单片流体喷射装置的制造方法，其中该第一负型感光高分子层经曝光后所形成的该流体腔结构具有耐化学性和抗腐蚀功能。

3.如权利要求1所述的单片流体喷射装置的制造方法，其中该光掩模转移层包括金属、抗反射材料或吸光材料。

4.如权利要求3所述的单片流体喷射装置的制造方法，其中由该金属所组成的该光掩模转移层的形成方法包括无电镀、镀、溅镀或旋转涂布。

5.如权利要求3所述的单片流体喷射装置的制造方法，其中该形成图案的光掩模转移层的步骤包括光刻工艺与蚀刻工艺。

6.如权利要求5所述的单片流体喷射装置的制造方法，其中该蚀刻工艺包括干式蚀刻或湿式蚀刻。

7.如权利要求6所述的单片流体喷射装置的制造方法，其中该湿式蚀刻可利用蚀刻液或去除剂。

8.如权利要求1所述的单片流体喷射装置的制造方法，其中该曝光步骤是利用一次黄光技术同时定义分别位于该第二与该第一负型感光高分子层的该喷孔结构与该流体腔结构。

9.如权利要求8所述的单片流体喷射装置的制造方法，其中该第二负型感光高分子层经曝光后所形成之该喷孔结构具有抗化性和抗腐蚀功能。

10.如权利要求1所述的单片流体喷射装置的制造方法，其中该流体通道的形成方法包括干式蚀刻或湿式蚀刻。

11.如权利要求10所述的单片流体喷射装置的制造方法，其中该流体通道的形成方法包括干式蚀刻，且该第一负型感光高分子层作为蚀刻停止层。

12.如权利要求10所述的单片流体喷射装置的制造方法，其中该流体通道的形成方法包括湿式蚀刻，且该第一负型感光高分子作为芯片保护层。