[发明专利]有源矩阵式有机电激发光显示面板的制造方法无效

专利信息
申请号: 200610121469.6 申请日: 2006-08-24
公开(公告)号: CN101132661A 公开(公告)日: 2008-02-27
发明(设计)人: 陈彦君 申请(专利权)人: 铼宝科技股份有限公司
主分类号: H05B33/10 分类号: H05B33/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 有源 矩阵 机电 激发 显示 面板 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种显示面板的制造方法,且特别涉及一种有源矩阵式有机电激发光显示面板(active matrix organic electro-luminescence display panel)的制造方法。

背景技术

信息通讯产业已成为现今的主流产业,特别是携带型的各式通讯显示产品更是发展的重点,而平面显示器为人与信息的沟通界面,因此其发展显得特别重要。目前应用在平面显示器的技术主要有下列几种:等离子体显示器(Plasma Display Panel,PDP)、液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)、无机电致发光显示器(Electro-luminescent Display)、发光二极体(Light EmittingDiode,LED)、真空萤光显示器(Vacuum Fluorescent Display)、场致发射显示器(Field Emission Display,FED)以及电变色显示器(Electro-chromic Display)等。与其他平面显示技术相比较,有机电激发光显示面板因其具有自发光、无视角依存、省电、工艺简易、低成本、低操作温度范围、高响应速度以及全彩化等优点,而具有极大的应用潜力,可望成为下一代的平面显示器的主流。

图1是公知的驱动电路的电路图。请参照图1,公知的驱动电路100适于与高电压源VDD以及低电压源VCC搭配,以驱动有机电激发光元件OEL。公知的驱动电路100包括扫描线110、数据线120以及控制单元130。其中,控制单元130电性耦接至扫描线110、数据线120以及高电压源VDD,且有机电激发光元件OEL电性耦接于控制单元130与低电压源VCC之间。一般而言,高电压源VDD为正电压,而低电压源VCC的电压通常为0伏特(处于接地状态)。

由图1可知,驱动电路100中的控制单元130是由两个薄膜晶体管T1、T2以及一个电容器C所构成。其中,薄膜晶体管T1具有栅极G1、源极S1以及漏极D1,而栅极G1电性耦接至扫描线110,且漏极D1电性耦接至数据线120。此外,薄膜晶体管T2具有栅极G2、源极S2以及漏极D2,栅极G2电性耦接至S1源极,而漏极D2电性耦接至高电压源VDD,且源极S2则电性耦接至有机电激发光元件OEL。值得注意的是,在公知的驱动电路100中,电容器C电性电性耦接于第二栅极G2以及漏极D2之间。

当扫描信号VSCAN传送至扫描线110时,薄膜晶体管T1会被开启,此时,从数据线120所传送的电压信号VDATA便会透过薄膜晶体管T1施加于薄膜晶体管T2的栅极G2上,而施加于栅极G2上的电压信号VDATA可控制流经薄膜晶体管T2以及有机电激发光元件OEL的电流I,以控制有机电激发光元件OEL所欲显示的亮度。在数据线120所传送的电压信号VDATA施加于栅极G2的同时,电压信号VDATA亦会对电容器C进行充电的操作,且其参考电压为高电压源VDD。换言之,当电压信号VDATA施加于栅极G2时,电容器C会记录其两端的跨压(|VDATA-VDD|)。理想状态下,当薄膜晶体管T1被关闭时,电容器C可有效地维持施加于薄膜晶体管T2的栅极G2上的电压(VDATA),但实际上,在长时间的操作后,薄膜晶体管T2的源极S2的电压Vs常会有向上飘移的现象,使得栅极G2与源极S2的电压差Vgs逐渐变小,进而造成控制有机电激发光元件OEL所欲显示的亮度衰减。

由上述可知,驱动电路100中的控制单元130仍然无法十分稳定地控制通过有机电激发光元件OEL的电流I,而如何使通过有机电激发光元件OEL的电流I更为稳定,将是有机电激发光显示面板在制造上会面临到的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种有源矩阵式有机电激发光显示面板的制造方法,其可制造出具有稳定影像品质的有源矩阵式有机电激发光显示面板。

为达上述或是其他目的,本发明提出一种有源矩阵式有机电激发光显示面板的制造方法,其包括下列步骤。首先,在基板上形成驱动电路阵列,其中驱动电路阵列包括多个阵列排列的驱动电路。接着,在驱动电路阵列上方形成图案化导电层,其中图案化导电层耦接于高电压源且位于驱动电路上方。之后,在图案化导电层上形成多个对应于驱动电路的有机功能层。最后,在有机功能层上形成多个彼此电性绝缘的阴极,其中各个阴极与对应的驱动电路电性连接。

在本发明的实施例中,驱动电路阵列是以非晶硅薄膜晶体管阵列工艺、低温多晶硅薄膜晶体管阵列工艺,或是有机薄膜晶体管阵列工艺进行制作。

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