[发明专利]嵌入式闪存器件中悬浮式刻蚀阻挡层接触孔的刻蚀方法

权利要求书

1.一种嵌入式闪存器件中悬浮式刻蚀阻挡层接触孔的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：顶层氮氧化硅的刻蚀；

第二步：氧化膜主刻蚀之快速刻蚀：采用刻蚀速率为7500-7800埃/分钟，氧化硅对氮化硅的选择比为10∶1-13∶1，精确计算刻蚀时间，控制该步在悬浮式刻蚀阻挡层上1000-1200埃停止；

第三步：氧化膜主刻蚀之慢速刻蚀：该步氧化硅对氮化硅的选择比＞20∶1，刻蚀速率为5200-5400埃/分钟；

第四步：去除由前三步刻蚀带来的残留于接触孔底部的聚合物；

第五步：去除悬浮式氮化硅刻蚀阻挡层；

第六步：底部氧化膜刻蚀。

2.如权利要求1所述的嵌入式闪存器件中悬浮式刻蚀阻挡层接触孔的刻蚀方法，其特征在于，第一步刻蚀的主要参数为：压力为30-90毫托；上/下电极功率为800-1200/800-1200瓦；氩气为150-250sccm；三氟甲烷为15-25sccm；氧气为5-25sccm；背部氦气压力为中部4-12托，边缘10-20托。

3.如权利要求1所述的嵌入式闪存器件中悬浮式刻蚀阻挡层接触孔的刻蚀方法，其特征在于，第二步刻蚀的主要参数为：压力为30-90毫托；上/下电极功率为1500-2400/800-1600瓦；氩气为500-1000sccm；八氟五碳为5-15sccm；氧气为8-25sccm；背部氦气压力为中部4-12托，边缘10-20托。

4.如权利要求1所述的嵌入式闪存器件中悬浮式刻蚀阻挡层接触孔的刻蚀方法，其特征在于，第三步刻蚀的主要参数为：压力为30-90毫托；上/下电极功率为1500-2400/800-1600瓦；氩气为500-1000sccm；八氟五碳为6-20sccm；氧气为8-20sccm；背部氦气压力为中部4-12托，边缘10-20托。

5.如权利要求1所述的嵌入式闪存器件中悬浮式刻蚀阻挡层接触孔的刻蚀方法，其特征在于，第三步中追加50％的过刻蚀。

6.如权利要求1所述的嵌入式闪存器件中悬浮式刻蚀阻挡层接触孔的刻蚀方法，其特征在于，第四步刻蚀的主要参数为：压力为15-35毫托；上/下电极功率为700-1400/100-300瓦；氩气为100-300sccm；氧气为10-30sccm；背部氦气压力为中部4-12托，边缘10-30托。

7.如权利要求1所述的嵌入式闪存器件中悬浮式刻蚀阻挡层接触孔的刻蚀方法，其特征在于，第五步刻蚀的主要参数为：压力为30-50毫托；上/下电极功率为700-1500/100-300瓦；氩气为100-300sccm；三氟甲烷为8-25sccm；氧气为10-30sccm；背部氦气压力为中部4-15托，边缘10-30托。

8.如权利要求1所述的嵌入式闪存器件中悬浮式刻蚀阻挡层接触孔的刻蚀方法，其特征在于，第六步采用和第二步相同的条件：保持刻蚀速率为7500-7800埃/分钟，氧化硅对氮化硅的选择比为10∶1-13∶1。

9.如权利要求1所述的嵌入式闪存器件中悬浮式刻蚀阻挡层接触孔的刻蚀方法，其特征在于，第六步刻蚀的主要参数为：压力为30-80毫托；上/下电极功率为1500-2500/800-1800瓦；氩气为500-1000sccm；八氟五碳为5-15sccm；氧气为8-25sccm；背部氦气压力为中部4-15托，边缘10-30托。