[发明专利]一种SCR静电保护器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610119399.0 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101202280A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 徐向明;苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁;李隽松 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 scr 静电 保护 器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SCR静电保护器件，由P阱中的P型注入区、P阱中的N型注入区、N阱中的P型注入区、N阱中的N型注入区组成，其特征在于，在所述P阱中的N型注入区加入一个边缘的N阱注入区。
2.根据权利要求2所述的SCR静电保护器件，其特征在于，可应用于触发电压为10-100V的半导体静电保护电路中。
3.一种制造权利要求1所述的静电保护器件的方法，其特征在于，利用常规工艺在所述P阱中的N型注入区加入一个边缘的N阱注入区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610119399.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多媒体广播服务的计费方法
- 下一篇：采油管柱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
