[发明专利]对半导体物理版图进行填充的方法

权利要求书

1.一种对半导体物理版图进行填充的方法，其特征是，包括以下步骤：

读取数据的步骤，以二进制的方式读入GDSII数据，通过对GDSII二进制数据流的查找，寻找到待填充版图中的每一个结构；

划分待填充版图的步骤，将待填充版图划分成一个由多个正方形单元区域组成的矩形阵列，单元区域的大小由版图设计规则决定，单元区域的边长等于填充物的尺寸加上填充物的间距；

计算AREF阵列的步骤，采用GDSII数据中的AREF阵列来填充待填充版图，通过划分单元区域进行几何形状分析，并计算出最少个数的AREF填充阵列；

填充的步骤，以追加写入二进制数据的方式，把上面得出的AREF阵列写入到GDSII数据中，这样就实现了在GDSII数据上用最少个数的AREF阵列来实现快速填充。

2.根据权利要求1所述的对半导体物理版图进行填充的方法，其特征是，在所述计算AREF阵列的步骤中按如下方式求取最少个数的AREF阵列：

求解满足条件g(i，j)≤∑a(s，t，u，v)≤∑g(i，j)的线性方程，得出一个∑a(s，t，u，v)的可能最小值，此∑a(s，t，u，v)最小值即为用以填充待填充版图的最少个数的AREF阵列；

其中，g(i，j)为所述单元区域的定义，且1≤i≤m，1≤j≤n，m和n分别为待填充区域的边长；单元区域已经具有物理图形的，g(i，j)赋值为0；单元区域需要填充的，g(i，j)赋值为1；

a(s，t，u，v)表示AREF阵列；其中，s为起点的x轴坐标，t为起点的y轴坐标，u为x方向的列数，v为y方向的行数；满足1≤s≤m，1≤t≤n，1≤u≤m，1≤v≤n的AREF阵列都是有效的；在此定义a(s，t，u，v)等于1时是一个被采用的填充阵列，等于0时是一个没有被采用的填充阵列。