[发明专利]金属前介质层形成方法及其结构有效
| 申请号： | 200610119164.1 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101197272A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;蔡明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/00;H01L23/532;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 介质 形成 方法 及其 结构 | ||
1.一种金属前介质层形成方法，包括：
在半导体衬底上形成金属前介质层沉积基底；
在所述沉积基底上利用第一CVD方法沉积第一金属前介质层；
在所述第一金属前介质层上利用第二CVD方法沉积第二金属前介质层。
2.根据权利要求1所述的金属前介质层形成方法，其特征在于：所述第一CVD方法为HARP SACVD。
3.根据权利要求2所述的金属前介质层形成方法，其特征在于：所述HARPSACVD设备型号为AMAT Producer SE。
4.根据权利要求1或2或3所述的金属前介质层形成方法，其特征在于：所述第一金属前介质层材料为无掺杂玻璃。
5.根据权利要求4所述的金属前介质层形成方法，其特征在于：所述第一金属前介质层厚度范围为10～100纳米。
6.根据权利要求1所述的金属前介质层形成方法，其特征在于：所述第二CVD方法包括但不限于传统的SACVD、PECVD及HDPCVD工艺中的一种。
7.根据权利要求1或6所述的金属前介质层形成方法，其特征在于：所述第二金属前介质层材料包括但不限于二氧化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅玻璃或具有低介电常数材料中的一种或其组合。
8.一种金属前介质层结构，所述金属前介质层内无沉积孔洞产生，所述金属前介质层包含顺此沉积的第一金属前介质层及第二金属前介质层。
9.根据权利要求8所述的金属前介质层结构，其特征在于：所述第一金属前介质层材料为无掺杂玻璃。
10.根据权利要求8或9所述的金属前介质层结构，其特征在于：所述第一金属前介质层厚度范围为10～100纳米。
11.根据权利要求8所述的金属前介质层结构，其特征在于：所述第二金属前介质层材料包括但不限于二氧化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅玻璃或具有低介电常数材料中的一种或其组合。
12.一种膜层形成方法，包括：
在半导体衬底上形成膜层沉积基底；
在所述沉积基底上利用第一CVD方法沉积第一膜层；
在所述第一膜层上利用第二CVD方法沉积第二膜层。
13.根据权利要求12所述的金属前介质层形成方法，其特征在于：所述第一CVD方法为HARP SACVD。
14.根据权利要求13所述的金属前介质层形成方法，其特征在于：所述HARP SACVD设备型号为AMAT Producer SE。
15.根据权利要求12或13或14所述的金属前介质层形成方法，其特征在于：所述第一膜层材料为无掺杂玻璃。
16.根据权利要求15所述的金属前介质层形成方法，其特征在于：所述第一膜层厚度范围为10～100纳米。
17.根据权利要求12所述的金属前介质层形成方法，其特征在于：所述第二CVD方法包括但不限于传统的SACVD、PECVD及HDPCVD工艺中的一种。
18.根据权利要求12或17所述的金属前介质层形成方法，其特征在于：所述第二膜层材料包括但不限于二氧化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅玻璃或具有低介电常数材料中的一种或其组合。
19.一种膜层结构，所述膜层内无沉积孔洞产生，所述膜层包含顺此沉积的第一膜层及第二膜层。
20.根据权利要求19所述的金属前介质层结构，其特征在于：所述第一膜层材料为无掺杂玻璃。
21.根据权利要求19或20所述的金属前介质层结构，其特征在于：所述第一膜层厚度范围为10～100纳米。
22.根据权利要求19所述的金属前介质层结构，其特征在于：所述第二膜层材料包括但不限于二氧化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅玻璃或具有低介电常数材料中的一种或其组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
