[发明专利]金属氧化物半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200610119145.9 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101197286A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 吴汉明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：
在半导体衬底上形成栅极、源区和漏区，所述栅极两侧具有侧壁间隔物；
对所述栅极、源区和漏区进行等离子体注入使表面达到非晶化；
在所述栅极、源区和漏区表面淀积金属；
对所述金属进行热退火形成金属硅化物层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：用于产生所述等离子体的物质包括但不限于锗Ge、碳C、氮气N2、氦气He或氩气Ar。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：产生所述等离子体的射频功率为1～5KW；射频偏置功率为10～100KW。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述等离子体的轰击能量为5～20keV。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：对所述金属进行热退火的步骤包括：
第一快速热退火步骤；
刻蚀未硅化的金属；
第二快速热退火步骤。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述第一快速热退火的温度为250℃～350℃；所述第二快速热退火的温度为350℃～500℃。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述金属为镍。
8.一种金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：
在半导体衬底上形成栅极、源区和漏区，所述栅极两侧具有侧壁间隔物；
对所述栅极、源区和漏区进行等离子体注入使表面达到非晶化；
在所述栅极、源区和漏区表面淀积金属镍；
执行第一快速热退火；
刻蚀未进行硅化反应的金属；
执行第二快速热退火。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：用于产生所述等离子体的物质包括但不限于锗Ge、碳C、氮气N2、氦气He或氩气Ar。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：产生所述等离子体的射频功率为1～5KW；射频偏置功率为10～100KW。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述等离子体的注入能量为5～20keV。
12.如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述第一快速热退火的温度为250℃～350℃；所述第二快速热退火的温度为350℃～500℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610119145.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
