[发明专利]无助焊剂的凸点回流工艺有效
申请号: | 200610119047.5 | 申请日: | 2006-12-04 |
公开(公告)号: | CN101197296A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 王津洲;李润领 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无助 焊剂 回流 工艺 | ||
1.一种无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,包括如下步骤:纯化过程:使焊料在熔融或者半熔融状态下保持40秒至540秒;成球过程:使焊料完全熔融,形成球状凸点;冷却。
2.根据权利要求1所述的无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,纯化过程中使焊料保持熔融或者半熔融的温度大于等于Tc-4℃并且小于等于Tc+4℃,其中Tc为焊料的熔点。
3.根据权利要求2所述的无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,纯化过程为一个温度在Tc-4℃至Tc+4℃之间的升温过程。
4.根据权利要求3所述的无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,所述纯化过程包括至少一个恒温阶段,且每个恒温阶段的时间都为40秒至180秒。
5.根据权利要求4所述的无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,所述纯化过程的一个以上恒温阶段的各温度数值呈线性关系。
6.根据权利要求5所述的无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,所述纯化过程包括三个恒温阶段,且三个恒温阶段中每一阶段的时间都为40秒至180秒。
7.根据权利要求6所述的无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,所述纯化过程的三个恒温阶段中,第一恒温阶段的温度为Tc-2℃,第二恒温阶段的温度为Tc,第三阶段的温度为Tc+2℃。
8.根据权利要求1所述的无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,成球过程中使焊料完全熔融形成球状凸点的温度大于等于Tc+15℃并且小于等于Tc+65℃。
9.根据权利要求1所述的无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,成球过程所需时间为40秒至180秒。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,所述纯化过程以及成球过程在还原性气体氛围中进行,所述冷却工艺在还原性气体或者惰性气体或者氮气中进行。
11.根据权利要求10所述的无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,所述还原性气体为氢气氛围或者甲酸气体氛围。
12.一种无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,包括如下步骤:
在权利要求1至11中任一项所述的工艺条件下进行第一次回流;
第一次清洗凸点;
在权利要求1至11中任一项所述的工艺条件下进行第二次回流。
13.根据权利要求12所述的无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,第一次清洗凸点的工艺为:采用酸性试剂去除凸点上残留的杂质;去离子水冲洗。
14.根据权利要求13所述的无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,所述酸性试剂为甲基磺酸或者醋酸或者甲酸。
15.根据权利要求12所述的无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,第二次回流之后还包括第二次清洗凸点的步骤。
16.根据权利要求15所述的无助焊剂的凸点回流工艺,其特征在于,所述第二次清洗凸点的工艺为去离子水淋洗、甩干。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造