[发明专利]抛光垫以及化学机械抛光方法有效
申请号: | 200610118834.8 | 申请日: | 2006-11-28 |
公开(公告)号: | CN101190508A | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
发明(设计)人: | 蒋莉;臧伟;季华;小池正博 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | B24D17/00 | 分类号: | B24D17/00;B24B29/00;H01L21/304 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 抛光 以及 化学 机械抛光 方法 | ||
1.一种抛光垫,其特征在于,所述抛光垫的抛光面上具有平面区和凹凸区,所述平面区为粗糙度小于20um的平坦表面,用于抛光晶圆,所述凹凸区具有槽、孔或者它们的组合,用于抛光后将晶圆从抛光面拔起。
2.根据权利要求1所述的抛光垫,其特征在于,所述平面区包围凹凸区,凹凸区的几何中心与抛光面的几何中心重合。
3.根据权利要求2所述的抛光垫,其特征在于,凹凸区的外部轮廓上的任一点与抛光面几何中心的距离为抛光晶圆直径的20.5%到40%。
4.根据权利要求1所述的抛光垫,其特征在于,平面区内外侧轮廓线上任意两点之间的距离大于抛光晶圆直径的120%。
5.根据权利要求4所述的抛光垫,其特征在于,平面区内侧轮廓线上的任意一点到平面区外侧轮廓线上的最短距离为抛光晶圆直径的120%至150%。
6.根据权利要求1所述的抛光垫,其特征在于,所述凹凸区与抛光面成同心圆形分布,平面区为抛光面与凹凸区形成的环形区域。
7.根据权利要求6所述的抛光垫,其特征在于,抛光面的直径为D1,且18英寸≤D1≤28英寸;凹凸区的直径为D2,且3英寸≤D2≤6英寸。
8.根据权利要求1所述的抛光垫,其特征在于,凹凸区具有的槽、孔或者它们组合的数目大于两个。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的抛光垫,其特征在于,凹凸区的槽为单独的格状、环状、XY网格形、幅条形、螺旋状,或者其中任意两种或者两种以上形状的组合。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的抛光垫,其特征在于,凹凸区孔的横截面形状为单独的圆形、椭圆形、多边形,或者其中任意两种或者两种以上形状的组合。
11.根据权利要求1至8中任一项所述的抛光垫,其特征在于,凹凸区具有若干排布成同心圆环形的环状槽。
12.根据权利要求11所述的抛光垫,其特征在于,同心圆环之间的间距为0.1mm至2mm。
13.根据权利要求11所述的抛光垫,其特征在于,槽的宽度为0.15mm~0.5mm,槽的深度为0.25mm~0.5mm,相邻槽间的最小长度为0.1mm~10mm。
14.根据权利要求1至8中任一项所述的抛光垫,其特征在于,凹凸区具有若干排布成同心圆环形的圆形孔。
15.根据权利要求14所述的抛光垫,其特征在于,孔的直径为5mm~12mm。
16.根据权利要求14所述的抛光垫,其特征在于,同心圆环之间的间距为0.1mm至2mm。
17.根据权利要求1至8中任一项所述的抛光垫,其特征在于,凹凸区具有若干排布成同心圆环形的圆形孔和若干排布成同心圆环形的圆形孔。
18.根据权利要求17所述的抛光垫,其特征在于,同心圆环之间的间距为0.1mm至2mm。
19.根据权利要求1至8中任一项所述的所述的抛光垫,其特征在于,所述抛光垫还具有设置在非抛光面的衬层。
20.一种化学机械抛光方法,其特征在于,使用权利要求1至22中任意一项所述的抛光垫,首先采用所述抛光垫的平面区进行化学机械抛光晶圆,再将抛光晶圆移动至凹凸区,将晶圆拔出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610118834.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。