[发明专利]垂直型双极晶体管的制作工艺方法及垂直型双极晶体管无效
| 申请号： | 200610118718.6 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101192537A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李永海 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/732 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 双极晶体管 制作 工艺 方法 | ||
1.一种垂直型双极晶体管的制作工艺方法，包括以下步骤，在硅基体上淀积一层多晶硅，在其上面再沉积氧化膜，利用光刻和刻蚀形成离子注入区，然后沉积一层氧化膜，接着进行离子注入得到本征基区和位于其下面的集电区，其特征在于：再淀积一层介质隔离层，单步干法刻蚀该介质隔离层形成侧墙，采用湿法刻蚀去除所述的氧化膜，暴露出本征基区，淀积发射极多晶硅，利用光刻刻蚀，得到发射极，然后再次利用光刻刻蚀形成外基极。
2.根据权利要求1所述的垂直型双极晶体管的制作工艺方法，其特征在于：所述的介质隔离层的介质材料为氮化硅、氧化硅、或者氮化硅和氧化硅的组合。
3.根据权利要求1或2所述的垂直型双极晶体管的制作工艺方法，其特征在于：所述的侧墙形状是“D型”形状，或者是对由氮化硅和氧化硅的组合而成的介质隔离层，采用双重刻蚀多步工艺形成的“L型”氮化膜侧墙。
4.一种垂直型双极晶体管，包括在硅衬底上通过离子注入形成的本征基极区，和位于其下端的集电区，位于所述本征基极区上端的发射极，通过自对准工艺形成在硅衬底上的外基极区，其特征在于：所述的发射极与外基极区之间设有侧墙。
5.根据权利要求4所述的垂直型双极晶体管，其特征在于：所述的所述的侧墙形状是“D型”形状，或者是对由氮化硅和氧化硅的组合而成的介质隔离层，采用双重刻蚀多步工艺形成的“L型”氮化膜侧墙。
6.根据权利要求4或5所述的垂直型双极晶体管，其特征在于：所述的侧墙介质材料为氮化硅、氧化硅、或者氮化硅和氧化硅的组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
