[发明专利]在硅片低温外延生长之前去除自然氧化层的方法无效
| 申请号： | 200610118496.8 | 申请日： | 2006-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101191252A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王剑敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 低温 外延 生长 之前 去除 自然 氧化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在硅片低温外延生长之前去除自然氧化层的方法，其特征在于，它包括如下步骤：
第一步，向硅片的反应腔中通入气体CIF3和H2；
第二步，经通入气体和自然氧化层氧化反应后，其中自然氧化层生成SiOF或Si2OF6挥发。
2.如权利要求1所述的在硅片低温外延生长之前去除自然氧化层的方法，其特征在于，它还包括第三步，再次通入H2混合气体将残留的CIF3气体驱除。
3.如权利要求1或2所述的在硅片低温外延生长之前去除自然氧化层的方法，其特征在于，在进行第一步之前还包括将硅片进行RCA清洗。
4.如权利要求1所述的在硅片低温外延生长之前去除自然氧化层的方法，其特征在于，所述低温外延生长为在700℃以下生长的单晶硅或单晶锗硅。
5.如权利要求1所述的在硅片低温外延生长之前去除自然氧化层的方法，其特征在于，在第一步所述的CIF3和H2气体参数如下：流量：H2为5slm-100slm，CIF3小于1slm；时间：30s-120s；温度小于700℃；压力小于700Torr。
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