[发明专利]低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法无效
申请号: | 200610118464.8 | 申请日: | 2006-11-17 |
公开(公告)号: | CN101187787A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | 刘兵;彭洪修;史永涛;曾浩 | 申请(专利权)人: | 安集微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42;G03F7/32;G03F7/26 |
代理公司: | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人: | 李佳铭 |
地址: | 201203上海市浦东新区张江高科*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 光刻 洗剂 及其 清洗 方法 | ||
1.一种低蚀刻性的光刻胶清洗剂,含有(a)季胺氢氧化物,(b)二甲基亚砜,(c)分子式如式I所示的烷基二醇芳基醚或其衍生物,(d)乙醇胺,(e)水,(f)缓蚀剂,
式I
其中,R1为含有6~18个碳原子的芳基;R2为H、C1~C18的烷基或含有6~18个碳原子的芳基;m=2~6;n=1~6。
2.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的季胺氢氧化物选自下列中的一个或多个:四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、三甲基乙基氢氧化铵、二甲基二乙基氢氧化铵和三甲基苯基氢氧化铵。
3.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的季胺氢氧化物的含量为重量百分比0.1-10%。
4.根据权利要求3所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的季胺氢氧化物的含量为重量百分比0.1-5%。
5.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的烷基二醇芳基醚或其衍生物为乙二醇单苯基醚、丙二醇单苯基醚、异丙二醇单苯基醚、二乙二醇单苯基醚、二丙二醇单苯基醚、二异丙二醇单苯基醚、乙二醇单苄基醚、丙二醇单苄基醚、乙二醇二苯基醚、丙二醇二苯基醚、异丙二醇二苯基醚、二乙二醇二苯基醚、二丙二醇二苯基醚、二异丙二醇二苯基醚、乙二醇二苄基醚或丙二醇二苄基醚。
6.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的烷基二醇芳基醚或其衍生物的含量为重量百分比0.1-99%。
7.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的缓蚀剂选自酚类,羧酸、羧酸酯类,酸酐类,或膦酸、膦酸酯类缓蚀剂。
8.根据权利要求7所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的酚类为苯酚、1,2-二羟基苯酚、对羟基苯酚或连苯三酚。
9.根据权利要求7所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的羧酸、羧酸酯类为苯甲酸、对氨基苯甲酸、对氨基苯甲酸甲酯、间苯二甲酸、邻苯二甲酸、邻苯二甲酸甲酯、没食子酸或没食子酸丙酯。
10.根据权利要求7所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的酸酐类为乙酸酐、己酸酐、邻苯二甲酸酐、聚马来酸酐或马来酸酐。
11.根据权利要求7所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的磷酸、磷酸酯类为1,3-(羟乙基)-2,4,6-三膦酸、氨基三亚甲基膦酸或2-膦酸丁烷-1,2,4-三羧酸。
12.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的缓蚀剂的含量为重量百分比0.01-10%。
13.根据权利要求12所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的缓蚀剂的含量为重量百分比0.1-3%。
14.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的二甲基亚砜的含量为重量百分比0.1-99%。
15.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的乙醇胺的含量为重量百分比0.1-30%。
16.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的水的含量为重量百分比0.01-20%。
17.根据权利要求16所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的水的含量为重量百分比0.1-10%。
18.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的清洗剂还含有表面活性剂。
19.根据权利要求18所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的表面活性剂为含羟基聚醚、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧乙烯、聚硅氧烷、氟代聚乙烯醇、氟代聚乙烯吡咯烷酮、氟代聚氧乙烯、氟代聚硅氧烷、硅酸盐或烷基磺酸盐等。
20.根据权利要求18所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的表面活性剂的含量为重量百分比0-10%。
21.根据权利要求20所述的光刻胶清洗剂,其特征在于:所述的表面活性剂的含量为重量百分比0-3%。
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