[发明专利]一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法有效
| 申请号: | 200610117986.6 | 申请日: | 2006-11-03 |
| 公开(公告)号: | CN101174573A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
| 发明(设计)人: | 萧永琮 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G03F7/16 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
| 地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 边缘 球状物 去除 检测 测试 方法 | ||
技术领域
本发明涉及边缘球状物去除工艺的检测,特别涉及一种用于检测边缘球状物去除宽度和偏移程度的测试晶圆以及检测方法。
背景技术
在晶圆的光阻涂布过程中,由于旋转产生的离心力的作用,使得晶圆上的光阻液逐渐往晶圆边缘散布,导致光阻液累积在晶圆的边缘形成突起残留,进而导致后续工艺的污染状况。为了去除累积于晶圆边缘的光阻残留,通常加入一道边缘球状物去除(Edge Bean Removal,EBR)步骤,俗称洗边,来去除晶圆边缘的光阻残留。
洗边制程主要是由机台控制,采用特殊的洗边溶液,喷洒在晶圆边缘的洗边区域内,以溶解光阻残余。洗边的宽度可根据不同的工艺要求预先在机台上设定。然而,由于机台机械控制系统可能存在误差,使得洗边溶液的喷洒无法确保在晶圆边缘的各个方向上都保持均匀,导致洗边的宽度与设定值不一致,或者洗边区域在晶圆上产生不对称的偏移。因此,在完成洗边步骤后还需要通过检测来判断该洗边步骤是否符合工艺要求。
现有的检测方法主要是利用标尺来测量洗边的宽度,其测量结果并不精确,而且无法直观地判断出洗边位置是否存在偏移,除此之外,采用标尺测量也容易造成晶圆的污染。因此,迫切需要一种既方便又直观的EBR检测方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法,通过该方法不仅能方便、快速地测量出边缘球状物去除的宽度,而且能直观地判断出是否存在偏移,此外,还能避免检测过程中对晶圆造成的污染。
本发明的目的是这样实现的:一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆,其实质性特点在于:所述测试晶圆上下左右四个方位的边缘处分别设有一组标记,每组标记由数个测试标记组成,每个测试标记具有均匀的刻度。
在上述的用于边缘球状物去除检测的测试晶圆中,每组标记的数个测试标记的中心排列在一条直线上,且该直线穿过测试晶圆的中心。
在上述的用于边缘球状物去除检测的测试晶圆中,所述的四组标记关于测试晶圆的中心对称。
在上述的用于边缘球状物去除检测的测试晶圆中,所述测试标记的刻度的线宽,根据边缘球状物去除精度设定。
本发明的另一方案是提供一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆,其实质性特点在于:所述测试晶圆上下左右四个方位的边缘处分别设有一组切向的平行刻度线,所述的刻度线是连续且均匀分布的,并且每间隔一定数量的刻度线设置一根较长的刻度线。
本发明的又一方案是提供一种边缘球状物去除检测方法,其实质性特点在于,所述的方法包括下列步骤:(1)在测试晶圆上下左右四个方位的边缘处分别设置一组标记,每组标记由数个测试标记组成,每个测试标记具有均匀的刻度;(2)将测试晶圆放在机台上进行边缘球状物去除;(3)取下测试晶圆,测量边缘球状物去除宽度和偏移程度。
在上述的边缘球状物去除检测方法中,还包括:根据步骤(3)的测量结果调整边缘球状物去除参数以满足工艺要求。
本发明的用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法,在测试晶圆的四个方位分别设置测试标记,由于这些测试标记具有特定线宽的均匀刻度,并且关于测试晶圆的中心对称,因此,在边缘球状物去除步骤完成后,只需根据刻度即可计算出边缘去除宽度,并可根据比较各方位上的测试标记判断是否存在不对称的位置偏移。测量过程可通过ADI测试机台或人眼来完成,不会对晶圆造成任何污染。
附图说明
本发明测试晶圆的具体结构及检测方法由以下的实施例及附图给出。
图1为本发明测试晶圆的结构示意图;
图2为本发明检测方法的流程图;
图3为经过边缘球状物去除步骤后的测试晶圆的结构示意图;
图4为本发明测试晶圆的另一种改良型结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明的用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法作进一步的详细描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





