[发明专利]有机硅微孔沸石、合成方法及其应用

权利要求书

1.一种有机硅微孔沸石，包括以下摩尔关系的组成：(1/n)Al₂O₃∶SiO₂∶(m/n)R，式中n＝5～200，m＝0.01～100，R为烷基、烷烯基或苯基中的至少一种；

所述沸石的Si²⁹NMR固体核磁图谱在-80～+50ppm之间至少包含有一个Si²⁹核磁共振谱峰；

所述沸石的X-射线衍射图谱在11.34±0.04，4.13±0.04，3.96±0.04，3.32±0.04，3.02±0.04和2.07±0.04埃处有d-间距最大值。

2.根据权利要求1所述的有机硅微孔沸石，其特征在于n＝10～100，m＝0.05～100；所述烷基为碳原子数为1～8的烷基，所述烷烯基为碳原子数为2～10的烷烯基。

3.根据权利要求2所述的有机硅微孔沸石，其特征在于所述烷基为甲基或乙基，所述烷烯基为乙烯基。

4.权利要求1所述的有机硅微孔沸石的合成方法，包括：

a)将有机砖源、无机硅源、铝源、碱、有机模板剂和水混合，以无机硅源中的SiO₂为基准，反应混合物以摩尔比计为：SiO₂/Al₂O₃＝5～200，有机硅源/SiO₂＝0.001～1，OH^-/SiO₂＝0.01～8.0，H₂O/SiO₂＝5～100，有机模板剂/SiO₂＝0.01～2.0；

b)将上述反应混合物在晶化反应温度为90～220℃条件下，反应1～300小时后取出，经水洗、干燥制得有机硅微孔沸石。

5.根据权利要求4所述的有机硅微孔沸石的合成方法，其特征在于所述无机硅源选自硅溶胶、固体氧化硅、硅胶、硅酸酯、硅藻土或水玻璃中的至少一种；所述有机硅源选自卤硅烷、硅氮烷或烷氧基硅烷中的至少一种；所述铝源选自铝酸钠、偏铝酸钠、硫酸铝、硝酸铝、氯化铝、氢氧化铝、氧化铝、高岭土或蒙脱土中的至少一种；所述碱为无机碱，选自氢氧化锂、氧氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷或氢氧化铯中的至少一种；所述有机模板剂选自乙胺、二乙胺、三乙胺、四乙基溴化铵、四乙基氯化铵或四乙基氢氧化铵中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的有机硅微孔沸石的合成方法，其特征在于所述卤硅烷选自三甲基氯硅烷、二甲基二氯硅烷、三乙基氯硅烷、二乙基二氯硅烷、二甲基氯溴硅烷、二甲基乙基氯硅烷、二甲基丁基氯硅烷、二甲基苯基氯硅烷、二甲基异丙基氯硅烷、二甲基叔丁基氯硅烷、二甲基十八烷基氯硅烷、甲基苯基乙烯基氯硅烷、乙烯基三氯硅烷或二苯基二氯硅烷中的至少一种；所述硅氮烷选自六甲基二硅氮烷、七甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、二乙烯基四甲基二硅氮烷或二苯基四甲基二硅氮烷中的至少一种；所述烷氧基硅烷选自三甲基乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、三甲基甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、三甲氧基苯基硅烷或二苯基二乙氧基硅烷中的至少一种。

7.根据权利要求4所述的有机硅微孔沸石的合成方法，其特征在于以无机硅源中的SiO₂为基准，反应混合物以摩尔比计为：SiO₂/Al₂O₃＝10～100，有机硅源/SiO₂＝0.005～0.5，OH^-/SiO₂＝0.05～1.0，H₂O/SiO₂＝10～80，有机模板剂/SiO₂＝0.05～1.0。

8.根据权利要求4所述的有机硅微孔沸石的合成方法，其特征在于晶化反应温度为120～210℃，晶化反应时间为5～240小时。

9.权利要求1所述的有机硅微孔沸石作为有机化合物转化用的催化剂组份的应用。