[发明专利]全湿法去胶方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体制造工业中的去胶方法，尤其涉及一种半导体制造工业中的全湿法去胶方法。

背景技术

在集成电路(IC)制造中，需要多次重复去除掩模用光刻胶这一步骤，因此清洁、高效地去胶工艺非常重要。硫酸(H₂SO₄)和双氧水(H₂O₂)的混合物可以用来去除未经注入或小剂量注入的光刻胶。同样，灰化流程在去胶过程中也经常被使用，在灰化流程中，衬底被加热，同时将光刻胶暴露在氧等离子体或臭氧中。然而，在去除大剂量离子注入光刻胶的非晶碳层时，标准的硫酸(H₂SO₄)和双氧水(H₂O₂)的混合物和灰化流程能起到的作用都有限。

因此，对于大剂量的离子注入，即离子注入量大于1×1014ions/cm²的情况下，现有技术中的去除光刻胶方法一般如下：

(1)用灰化流程去除绝大部分的光刻胶；

(2)用硫酸(H₂SO₄)和双氧水(H₂O₂)的混合物去除残留的光刻胶；

(3)用氨水(NH₄OH)和双氧水(H₂O₂)的混合物去除残留的硫并减少表面微粒。

然而，由于灰化流程会导致晶圆表面的氧化和结构错乱，从而增加药液的损失。因此希望能够实现一种全湿法的应用硫酸(H₂SO₄)和双氧水(H₂O₂)的混合物进行去胶的流程，可以代替干法的灰化流程去除离子注入的光刻胶。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种全湿法去胶方法，可同时对多枚硅片进行全湿法去胶，省去灰化去胶的流程，从而避免由灰化流程所引起的晶圆表面的氧化和结构错乱，降低硫酸(H₂SO₄)和双氧水(H₂O₂)的混合药液的消耗量，并能保证硫酸(H₂SO₄)和双氧水(H₂O₂)间的充分反应，从而达到理想的去胶效果。

为解决上述技术问题，本发明提供一种全湿法去胶方法，包括：

同时将多枚硅片浸入敞开式湿法药液槽中，其中所述药液槽中盛有的药液为硫酸和双氧水的混合物；

将所述湿法药液槽加盖密闭，并将所述药液加温至180～240℃；

当多枚硅片都去胶完毕后，对所述密闭的湿法槽药液进行降温。

本发明采用了上述技术方案，具有如下有益效果，即通过将多枚硅片浸入湿法槽中，然后对湿法槽进行密闭加温，并提高湿法药液温度的方法，保证了硫酸(H₂SO₄)和双氧水(H₂O₂)间的充分反应，从而实现了可同时对多枚硅片进行浸入式的全湿法无灰化去胶，由此避免了灰化损伤，降低了药液的消耗量，节约了成本；而且，减少了集成电路(IC)整体制造的时间，提高了产率并降低资金的投入；实现了良好的去胶效果。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是根据本发明将多枚硅片浸入敞开式湿法药液槽中的示意图；

图2是根据本发明将湿法药液槽进行密闭加温时的示意图。

具体实施方式

在一个实施例中，本发明所述的去胶方法包括以下步骤：

首先，如图1所示，将多枚硅片浸入一湿法药液槽中，所述药液槽为敞开式的，其中盛有的药液为硫酸(H₂SO₄)和双氧水(H₂O₂)的混合物；通常情况下，所述药液的温度为150±10℃。

然后，如图2所示，将湿法药液槽加盖密闭，并对所述药液加温，其温度范围为180～240℃，而当该混合药液的温度为200±10℃时，去胶效果最佳。

去胶结束后，如果在高温环境下，直接打开密闭槽，降压后的双氧水会迅速挥发，从而导致硫酸和双氧水混合药液的配比迅速变化。

因此当多枚硅片都被完全去胶后，需对密闭湿法槽药液进行降温。