[发明专利]一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法无效
| 申请号： | 200610117137.0 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101162684A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 彭洪修;王胜利;杨春晓 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/30;H01L21/306;B08B3/00 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 蚀刻 灰化 清洗 方法 | ||
1.一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：用含有水溶性金属缓蚀剂的金属保护液，对光阻清洗液处理后的晶圆进行清洗，之后甩干。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的水溶性金属缓蚀剂为聚羧酸类金属缓蚀剂。
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的聚羧酸类金属缓蚀剂是含羧基的均聚物及/或共聚物。
4.根据权利要求3所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的含羧基的均聚物及/或共聚物在金属保护液中的重量百分比为0.001-10％。
5.根据权利要求4所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的含羧基的均聚物及/或共聚物选自下列中的一个或多个：聚马来酸酐、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、丙烯酸与马来酸共聚物、苯乙烯与丙烯酸共聚物、苯乙烯与马来酸共聚物、丙烯腈与马来酸共聚物和上述聚合物的铵盐、钾盐和钠盐。
6.根据权利要求1所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的金属保护液还包含其他腐蚀抑制剂、表面活性剂和/或螯合剂。
7.根据权利要求1所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的金属保护液清洗步骤采用氮气鼓泡或喷淋方式进行清洗。
8.根据权利要求1所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的金属保护液清洗步骤的时间为0.1到15分钟。
9.根据权利要求1所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的光阻清洗液为半水性清洗液。
10.根据权利要求1所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的光阻清洗液处理步骤为，用低温操作光阻清洗液，在室温至40℃的温度下清洗等离子体电浆刻蚀后的晶圆。
11.根据权利要求1所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的光阻清洗液处理步骤的时间为0.5-30分钟。
12.根据权利要求1所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：晶圆经过金属保护液清洗后，再用去离子水清洗。
13.根据权利要求12所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的去离子水清洗步骤采用快速降液或喷淋方式进行清洗。
14.根据权利要求12所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的去离子水清洗步骤的时间为0.1到15分钟。
15.根据权利要求1所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的甩干步骤在氮气下进行。
16.根据权利要求1所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的甩干步骤转速为500～6000RPM。
17.根据权利要求16所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的甩干步骤转速为500～3000RPM。
18.根据权利要求17所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的甩干步骤转速为1000～2000RPM。
19.根据权利要求1所述的半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：所述的甩干步骤的时间为0.1～10分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
