[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种MOS场效应晶体管，包含介质层(2)、场氧化隔离区(3)、主要由源区(4)和漏区(5)组成的有源区、阱区(6)、金属布线(7)、以及钨塞(8)，其中场氧化隔离区(3)使有源区之间隔离；场氧化隔离区(3)下端有阱区而向上依次有介质层区(2)和金属布线(7)，其特征在于，

在所述金属布线(7)和所述场氧化隔离区(3)之间设置所述多晶硅栅层(1)；

将所述源区(4)与所述多晶硅栅层(1)相连并且接地。

2.如权利要求1中所述的MOS场效应晶体管，其特征在于，将所述源区(4)与所述多晶硅栅层(1)相连并且接到某固定电压。

3.一种MOS场效应晶体管制作方法，依次包含氧化隔离区形成、阱形成、栅氧化层形成、多晶硅栅层形成、多晶硅栅图形的形成、源漏形成、钛或钴硅化物形成、金属和硅栅间介质层形成、接触孔形成、金属布线形成工序，其特征在于，

所述多晶硅栅图形的形成工序中，设计多晶硅栅版图时，在所述金属布线(7)与所述场氧化隔离区(3)之间保留所述多晶硅栅层(1)；

所述接触孔形成工序中，设计接触孔版图时，将所述源区(4)与所述多晶硅栅层(1)相连并且接地。

4.如权利要求3中所述的MOS场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述接触孔形成工序中，设计接触孔版图时，将所述源区(4)与所述多晶硅栅层(1)相连并且接到某固定电压。