[发明专利]高密度等离子体沉积反应室和用于反应室的气体注入环无效

申请号：	200610116907.X	申请日：	2006-09-30
公开（公告）号：	CN101153387A	公开（公告）日：	2008-04-02
发明（设计）人：	刘明源	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
主分类号：	C23C16/513	分类号：	C23C16/513;C23C16/448;C23C16/52;H01L21/205;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/00
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人：	逯长明
地址：	201203***	国省代码：	上海;31
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	高密度等离子体沉积反应用于气体注入
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种高密度等离子体沉积反应室，包含反应室盖、反应室侧壁、静电卡盘和气体注入环，所述气体注入环上有复数个喷头，所述喷头与气体源相连并沿所述气体注入环的圆周分布，其特征在于：所述喷头包括第一喷头和第二喷头，所述的第一喷头的轴线平行于所述气体注入环的圆周所在平面；所述的第二喷头的轴线与所述气体注入环的圆周所在平面相交成特定角度。

2.如权利要求1所述的反应室，其特征在于：所述第一喷头与所述第二喷头间隔安装，所述第一喷头与所述第二喷头相邻。

3.如权利要求1所述的反应室，其特征在于：所述特定角度在10°到80°之间。

4.如权利要求1所述的反应室，其特征在于：所述第一喷头与所述第二喷头连接至的所述气体源不同。

5.如权利要求1所述的反应室，其特征在于：同一种所述气体源分别与所述第一喷头和所述第二喷头相连。

6.如权利要求1所述的反应室，其特征在于：所述第一喷头与所述第二喷头的长度设置为相同或不相同。

7.如权利要求1所述的反应室，其特征在于：所述气体注入环位于反应室侧壁顶部或反应室盖侧壁处。

8.一种用于权利要求1所述的反应室中的气体注入环，所述气体注入环上有复数个喷头，所述喷头与气体源相连并沿所述气体注入环的圆周分布，其特征在于：所述喷头包括第一喷头和第二喷头，所述的第一喷头的轴线平行于所述气体注入环的圆周所在平面；所述的第二喷头的轴线与所述气体注入环的圆周所在平面相交成特定角度。

9.如权利要求8所述的气体注入环，其特征在于：所述第一喷头与所述第二喷头间隔安装，所述第一喷头与所述第二喷头相邻。

10.如权利要求8所述的气体注入环，其特征在于：所述第二喷头的轴线与所述气体注入环的圆周所在平面所成的角度在10°到80°之间。

11.如权利要求8所述的气体注入环，其特征在于：所述第一喷头与所述第二喷头连接至的所述气体源不同。

12.如权利要求8所述的气体注入环，其特征在于：所述第一喷头与所述第二喷头的长度设置为相同或不相同。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。