[发明专利]双镶嵌结构的形成方法

权利要求书

1.一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供一表面至少具有一导电区域的衬底；

在所述衬底上形成一刻蚀停止层；

在所述衬底上形成一层间介电层；

利用光刻胶对所述层间介电层进行通孔的图形化处理，并刻蚀形成通孔；

在所述通孔内填充光刻胶牺牲层；

进行加热处理；

去除所述光刻胶牺牲层；

利用光刻胶对所述层间介电层进行沟槽的图形化处理，并刻蚀形成沟槽，且所述沟槽下方至少有一个所述通孔；

在所述沟槽和所述通孔中填充导电材料；

对所述导电材料进行研磨处理，形成双镶嵌结构。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述刻蚀停止层为含氮的碳硅化合物层。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述加热处理的温度在90至150℃之间。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述加热处理的时间在1至10分钟之间。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：填充导电材料前，利用湿法腐蚀方法将所述刻蚀停止层去除。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：去除所述光刻胶牺牲层后，在所述介电层上和所述通孔中覆盖了一层防反射层。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于：所述防反射层是利用旋涂方法形成的胶状氧化硅基材料。

8.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于：填充导电材料前，利用湿法腐蚀方法将所述通孔内的所述防反射层和所述刻蚀停止层去除。

9.一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供一表面至少具有一导电区域的衬底；

在所述衬底上形成一刻蚀停止层；

在所述衬底上形成一层间介电层；

利用光刻方法对所述层间介电层进行沟槽的图形化处理，并刻蚀形成沟槽；

在所述沟槽内填充光刻胶牺牲层；

进行加热处理；

去除所述光刻胶牺牲层；

利用光刻方法在所述层间介电层上进行通孔的图形化处理，并刻蚀形成通孔，且所述通孔位于所述沟槽底部；

在所述沟槽和所述通孔中填充导电材料；

对所述衬底进行研磨处理，形成双镶嵌结构。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述刻蚀停止层为含氮的碳硅化合物层。

11.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述加热处理的温度在90至150℃之间。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述加热处理的时间在1至10分钟之间。