[发明专利]刻蚀停止层及双镶嵌结构的形成方法无效
| 申请号： | 200610116878.7 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154585A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 汪钉崇;蓝受龙;杨小明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 停止 镶嵌 结构 形成 方法 | ||
1.一种刻蚀停止层的形成方法，包括：
提供一半导体基底；
将所述半导体基底曝露于氨气等离子体环境中；
在所述半导体基底表面沉积刻蚀停止层。
2.如权利要求1所述的刻蚀停止层的形成方法，其特征在于：所述氨气的流量为800至1200sccm。
3.如权利要求1所述的刻蚀停止层的形成方法，其特征在于：所述氨气等离子体环境射频源功率为300至1000瓦。
4.如权利要求1所述的刻蚀停止层的形成方法，其特征在于：所述氨气等离子体环境的压力为3至6托。
5.如权利要求1所述的刻蚀停止层的形成方法，其特征在于：所述氨气等离子环境的温度为100至1000度。
6.如权利要求1所述的刻蚀停止层的形成方法，其特征在于：所述曝露于氨气等离子体环境的时间为10至30秒。
7.如权利要求1所述的刻蚀停止层的形成方法，其特征在于：所述沉积包括物理气相沉积、化学气相沉积、等离子体辅助化学气相沉积、高密度等离子体化学气相沉积、原子层沉积中的一种。
8.如权利要求1所述的刻蚀停止层的形成方法，其特征在于：所述沉积刻蚀停止层的反应气体为三甲基甲硅烷基、氨气、硅烷、TEOS、臭氧、二氯二氢硅、氧化二氮、氮气、氧气中的一种或其组合。
9.如权利要求1所述的刻蚀停止层的形成方法，其特征在于：所述沉积刻蚀停止层的温度为100至1000度，压力为2至8托，射频源功率为400～1500瓦。
10.一种应用权利要求1所述的方法形成双镶嵌结构的方法，包括：
提供一半导体基底，在所述半导体基底中形成有导电层；
将所述半导体基底曝露于氨气等离子体环境中；
在所述半导体基底表面沉积刻蚀停止层；
在所述刻蚀停止层上形成介质层；
在所述介质层中形成连接孔和/或沟槽。
11.如权利要求10所述方法，其特征在于：所述刻蚀停止层可以是氧化硅、碳化硅、氮化硅、碳硅氧化合物、掺氮碳化硅中的一种或其组合。
12.如权利要求10所述方法，其特征在于：所述介质层为黑钻石、氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氧化硅、氮化硅、碳化硅中的一种或其组合。
13.如权利要求10所述方法，其特征在于，该方法进一步包括：在所述连接孔和/或沟槽中沉积金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
