[发明专利]凸点制作方法有效
| 申请号： | 200610116854.1 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154604A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 丁万春;李德君;孟津 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作方法 | ||
1.一种凸点制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在芯片上沉积凸点下金属层；
在凸点下金属层上形成光刻胶层、并通过曝光和显影形成光刻胶开口；
在光刻胶开口位置的凸点下金属层上形成厚度不大于光刻胶厚度的第一层焊料；
在第一层焊料上沉积第二层焊料，其中，第二层焊料的熔融温度小于第一层焊料的熔融温度；
去除光刻胶和凸点下金属层；
回流第二层焊料形成凸点。
2.根据权利要求1所述的凸点制作方法，其特征在于，所述第一层焊料的熔融温度与第二层焊料的熔融温度的差值大于50℃。
3.根据权利要求1所述的凸点制作方法，其特征在于，形成第一层焊料和第二层焊料的工艺为电镀工艺。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的凸点制作方法，其特征在于，第一层焊料的厚度为30至200um。
5.根据权利要求4所述的凸点制作方法，其特征在于，第一层焊料的厚度为50至150um。
6.根据权利要求5所述的凸点制作方法，其特征在于，第一层焊料的厚度为60至120um。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的凸点制作方法，其特征在于，回流后第二层焊料的厚度为2至20um。
8.根据权利要求3所述的凸点制作方法，其特征在于，第一层焊料为铅的质量百分比含量高于95％的高铅铅锡合金，第二层焊料为共晶铅锡合金。
9.根据权利要求8所述的凸点制作方法，其特征在于，回流第二层焊料的温度为210℃至245℃。
10.根据权利要求8所述的凸点制作方法，其特征在于，铅的质量百分比含量高于95％的高铅铅锡合金的电镀工艺包括如下步骤：
在凸点下金属层上以0.1A/dm2至1A/dm2的电流密度电镀1至5分钟；
在3A/dm2至10A/dm2的电流密度下电镀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
